特許

J-GLOBAL ID：200903098638170863

スパッタリングターゲット、電極膜、および電子部品

発明者： 渡辺 高志 ,  渡邊 光一 ,  石上 隆 ,  山野辺 尚 ,  菊池 誠 ,  藤本 裕二 ,  藤岡 直美
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-155439
公開番号（公開出願番号）：特開2000-345327
出願日： 1999年06月02日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
要約：

【要約】【課題】DRAMやFRAMに搭載される薄膜キャパシタの電極形成などに用いられるRuまたはRu合金からなるスパッタリングターゲットにおいて、Ru膜やRu合金膜の膜厚分布や膜質の均一性を高めると共に、下地に対する付着力を向上させる。【解決手段】RuまたはRu合金からなるスパッタリングターゲットであって、ターゲット表面においてX線回折法で測定された積分強度値における(002)面の結晶方位含有比を0.05以上とする。さらに、ターゲット表面においてX線回折法で測定された積分強度値における{I(002)/35}/{I(101)/100}の比を3.0以上とし、かつターゲットの各部位における{I(002)/35}/{I(101)/100}の比のばらつきを±30%以内とする。

請求項（抜粋）：

RuまたはRu合金からなるスパッタリングターゲットであって、ターゲット表面においてX線回折法で測定された積分強度値における(002)面の結晶方位含有比が0.05以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/285

FI (2件)：

C23C 14/34 A ,  H01L 21/285 S

Fターム (9件)：

4K029BA22 ,  4K029BC03 ,  4K029BD02 ,  4K029DC04 ,  4M104BB04 ,  4M104BB39 ,  4M104DD40 ,  4M104GG16 ,  4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• Ruターゲットおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-318465   出願人：日立金属株式会社
• 高純度ルテニウムの製造方法および薄膜形成用高純度ルテニウム材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-219014   出願人：株式会社ジャパンエナジー