薄膜トランジスタ基板及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：横山淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-383930
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188385
出願日： 2001年12月18日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】層間容量を低減できると共に、コンタクトホール内の導電膜のステップカバレジを向上させて安定したコンタクトが得られる薄膜トランジスタ基板を提供する。【解決手段】ソース部14a及びドレイン部14bを備えた半導体層14と、半導体層14の上に形成された絶縁膜16及びゲート電極20と、誘電率が相互に異なる積層膜からなり、ゲート電極20を被覆する層間絶縁膜22,24と、層間絶縁膜22,24に形成されたソース部コンタクトホール25及びドレイン部コンタクトホール25と、ソース部コンタクトホール25を介してソース部14aに接続された画素電極26と、ドレイン部コンタクトホール25を介してドレイン部14bに接続され、画素電極26と同一膜で形成された第1導電膜26aと、第1導電膜26aを介してドレイン部14bに接続された第2導電膜28とを含む。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板と、前記絶縁性基板の上に形成され、ソース部及びドレイン部を備えた半導体層と、前記半導体層の上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、誘電率が相互に異なる複数の絶縁膜の積層膜からなり、前記ゲート電極及び半導体層を被覆する層間絶縁膜と、前記半導体層のソース部上の前記層間絶縁膜に形成されたソース部コンタクトホールと、前記半導体層のドレイン部上の前記層間絶縁膜に形成されたドレイン部コンタクトホールと、前記ソース部コンタクトホールを介して前記ソース部に接続された画素電極と、前記ドレイン部コンタクトホールを介して前記ドレイン部に接続され、前記画素電極と同一膜で形成された第1導電膜と、前記第1導電膜を介して前記ドレイン部に接続された第2導電膜とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ基板。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , G02F 1/1368 , H01L 21/265 , H01L 21/265 604 , H01L 21/3205 , H01L 29/43

FI (8件)：

G02F 1/1368 , H01L 21/265 604 M , H01L 29/78 616 S , H01L 29/78 619 A , H01L 29/78 616 U , H01L 29/62 G , H01L 21/265 F , H01L 21/88 R

Fターム (103件)：

2H092JA24 , 2H092JA46 , 2H092JB63 , 2H092KA04 , 2H092MA08 , 2H092MA13 , 2H092MA19 , 2H092MA30 , 2H092NA23 , 2H092NA24 , 2H092PA09 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD12 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD20 , 4M104DD63 , 4M104DD71 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104HH13 , 5F033GG04 , 5F033HH08 , 5F033HH10 , 5F033HH18 , 5F033HH20 , 5F033HH38 , 5F033JJ08 , 5F033JJ18 , 5F033JJ20 , 5F033JJ38 , 5F033KK04 , 5F033KK08 , 5F033KK20 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033NN32 , 5F033PP15 , 5F033QQ01 , 5F033QQ27 , 5F033QQ28 , 5F033QQ30 , 5F033QQ33 , 5F033QQ37 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR22 , 5F033RR26 , 5F033TT04 , 5F033VV15 , 5F033XX02 , 5F033XX24 , 5F033XX33 , 5F110AA02 , 5F110AA03 , 5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE22 , 5F110EE38 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110HL12 , 5F110HL14 , 5F110HL23 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110PP03 , 5F110QQ03 , 5F110QQ04 , 5F110QQ11

引用特許：

出願人引用 (12件)

液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-298376 出願人：三洋電機株式会社
特開平2-034970
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-267362 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (15件)

液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-298376 出願人：三洋電機株式会社
特開平2-034970
特開平2-034970

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