特許
J-GLOBAL ID：200903017101297760
半導体集積回路およびその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-216904
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097714
出願日： 1996年01月17日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：
【要約】【課題】 アクティブマトリクス回路等の半導体集積回路において、コンタクトホールとキャパシタの形成方法を提供する。【解決手段】 層間絶縁物を酸化珪素膜108と、窒化珪素膜109とから成る、エッチング特性の異なる多層構造とする。下層の酸化珪素膜108をエッチングストッパーにして、第1のマスクを用いることにより、上層の窒化珪素膜109のみがエッチングされる。次に、第2のマスクを用いることにより、開口部110、111で露出している酸化珪素膜のみがエッチングされて、コンタクトホール113、114が形成される。更に、酸化珪素膜108が残存している開口部112には、下層配線107と画素電極115を電極とし、酸化珪素膜108を誘電体とするキャパシタ119が形成される。
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に島状シリコン領域を形成する工程と、前記島状シリコン領域上にゲイト絶縁膜を形成する工程と、前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成する工程と、前記ゲイト電極を覆って下層の層間絶縁物を形成する工程と、前記下層の層間絶縁物上に上層の層間絶縁物を形成する工程と、前記上層の層間絶縁物に開孔部を形成し、前記下層の層間絶縁物を露出させる工程と、前記開孔部の下層の層間絶縁物及び前記ゲイト絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、前記開孔部及び前記コンタクトホールに配線を形成する工程とを有し、前記下層の層間絶縁物の厚さは、前記上層の層間絶物と前記下層の層間絶縁物の全体の厚さの1/5〜1/50であり、前記上層の層間絶縁物と前記下層の層間絶縁物は互いにドライエッチング特性の異なる材料よりなることを特徴とする半導体集積回路の作製方法。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, H01L 21/28
, H01L 21/768
, H01L 21/336
H01L 29/78 619 A
, H01L 21/28 L
, H01L 21/90 M
, H01L 29/78 627 C
