特許
J-GLOBAL ID:200903098647144999
半導体ウェーハ支持ボート
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
佐々木 功 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-300206
公開番号(公開出願番号):特開平10-144616
出願日: 1996年11月12日
公開日(公表日): 1998年05月29日
要約:
【要約】【課題】 縦型の半導体ウェーハ支持ボートにおいて、ウェーハを支持する支持部とウェーハとの熱伝導率が異なっていたことにより生じていたスリップを回避すること。【解決手段】 本発明に係る半導体ウェーハ支持ボートにおいては、SiCの特性を生かして強い枠体を形成し、ウェーハを支持する部分はウェーハと同質の材料で形成したことにより、強度的に問題がなく且つ製造コストの低減を図ると共に、ウェーハを同質の材料で支持することで、熱伝導による温度上昇率を同じにして、スリップの発生を解消することができる。
請求項(抜粋):
半導体ウェーハを熱処理する際に使用される半導体ウェーハ支持ボートであって、該ウェーハ支持ボートは、SiCで形成された枠体と、半導体ウェーハと同質の材料で形成されたウェーハ支持ロッドとから構成され、前記ウェーハ支持ロッドは、前記枠体に着脱自在であることを特徴とする半導体ウェーハ支持ボート。
IPC (6件):
H01L 21/22 511
, H01L 21/22
, H01L 21/205
, H01L 21/31
, H01L 21/324
, H01L 21/68
FI (6件):
H01L 21/22 511 G
, H01L 21/22 511 M
, H01L 21/205
, H01L 21/31 F
, H01L 21/324 Q
, H01L 21/68 N
引用特許: