半導体粒子及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉村俊一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-036287
公開番号（公開出願番号）：特開2008-161854
出願日： 2007年02月16日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：

【課題】ナノ・マイクロデバイスや光触媒の用途に適用可能な半導体粒子及びその製造方法を提供する。【解決手段】酸化ニッケル等のp型半導体と、酸化亜鉛等のn型半導体とを有する半導体粒子により、上記課題を解決する。こうした半導体粒子としては、(A)n型半導体粒子の表面の一部にp型半導体を被覆した構造、(B)p型半導体粒子の表面の一部にn型半導体を被覆した構造、(C)粒子の中央部でp型半導体とn型半導体とが接合する構造、を挙げることができる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ヘテロ接合を有することを特徴とする半導体粒子。

IPC (2件)：

B01J 35/02 , B01J 23/80

FI (2件)：

B01J35/02 J , B01J23/80 M

Fターム (33件)：

4G169AA08 , 4G169BA04A , 4G169BA14A , 4G169BA14B , 4G169BA17 , 4G169BA48A , 4G169BB04A , 4G169BB04B , 4G169BC31A , 4G169BC31B , 4G169BC35A , 4G169BC35B , 4G169BC68A , 4G169BC68B , 4G169CC33 , 4G169EA02X , 4G169EA02Y , 4G169EC28 , 4G169FA01 , 4G169FB02 , 4G169FB10 , 4G169FB58 , 4G169HA02 , 4G169HB01 , 4G169HB06 , 4G169HC04 , 4G169HD02 , 4G169HD04 , 4G169HE09 , 4G169HF03 , 5F051AA09 , 5F051DA07 , 5F051GA03

引用特許：

審査官引用 (6件)

可視光域でも触媒活性を有する光触媒
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-241387 出願人：住友金属鉱山株式会社
光触媒材料
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-193564 出願人：東陶機器株式会社
光触媒
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-200609 出願人：松尾伸也

全件表示

前のページに戻る