半導体作製方法およびその作製装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-319223
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211636
出願日： 1994年11月29日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】非晶質珪素膜を触媒元素の作用によって低温で結晶化させる方法において、触媒元素の導入工程を自動的に行なうシステムを提供する。【構成】非晶質珪素膜の表面に結晶化を助長する元素を含んだ溶液を塗布するのに必要な工程を14〜21で示されるユニットにおいて行なう。この際、ロボットアーム12によって基板の搬送を行う。

請求項（抜粋）：

基板を処理する機能を有する複数の処理ユニットを有し、前記複数の処理ユニット間において基板を搬送するための基板搬送手段を有し、前記複数の処理ユニットの少なくとも一つは、基板表面に非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を含有した溶液を塗布する機能を有し、ていることを特徴とする半導体作製装置。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/02 , H01L 21/68

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平3-280420
洗浄装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-345911 出願人：株式会社日立製作所
特開平2-140915

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