特許

J-GLOBAL ID：200903098729640471

半導体装置の製造方法

発明者： 濱中 雅司 ,  佐竹 光成 ,  西條 昭
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-092145
公開番号（公開出願番号）：特開2003-290940
出願日： 2002年03月28日
公開日（公表日）： 2003年10月14日
要約：

【要約】【課題】 ウェハにおけるマーキングの視認性を確保しつつ、ウェハ表面の表面残さおよび傷の発生を防止し、歩留まりの低下を阻止する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 レーザーの出力を、マーキング周縁隆起4が2.0μm以上の大きさにならない範囲で、かつ、シリコン飛散粒子5が発生しない範囲に調整する。次に、ウェハ1に対しレーザーでマーキングを行い、レーザーによるマーキングの視認性について、光学顕微鏡を用いて評価する。その後、マーキング上は出来る限り避けて多層配線12を形成する。このようなマーキングを行うことにより、シリコン飛散粒子等によるウェハ上の傷9の発生を防ぐと共に、ウェハにおけるマーキングの視認性を確保しつつ、歩留まりの低下を阻止することが出来る。

請求項（抜粋）：

レーザーを用いて基板にマーキングを行う方法であって、前記レーザーの出力を調整する工程と、前記レーザーを前記基板に照射することにより前記基板にマーキングを形成する工程とを備え、前記レーザーの出力は、レーザ-照射時に基板を構成する物質の飛散粒子が生じないように調整されている、マーキングの形成方法。

IPC (3件)：

B23K 26/00 ,  H01L 21/02 ,  B23K101:40

FI (3件)：

B23K 26/00 B ,  H01L 21/02 A ,  B23K101:40

Fターム (4件)：

4E068AB01 ,  4E068CA02 ,  4E068CA17 ,  4E068DA10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体ウェ-ハのマ-キング方法及びマ-キング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-026943   出願人：株式会社東芝
• 焼結体へのマーキング方法及び磁気ヘッド用基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-239431   出願人：住友特殊金属株式会社
• Siウェハへのレーザマーキング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-149323   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭60-037716