特許
J-GLOBAL ID：200903064543494201

炭化ケイ素単結晶及びその製造方法

発明者：
小林 由則

小林 由則 について

, 
丸山 隆之

丸山 隆之 について

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遠藤 茂樹

遠藤 茂樹 について


出願人/特許権者：
株式会社ブリヂストン

株式会社ブリヂストン について


代理人 (1件)： 廣田 浩一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-111901
公開番号（公開出願番号）：特開2002-308699
出願日： 2001年04月10日
公開日（公表日）： 2002年10月23日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 絶縁破壊特性、耐熱性、耐放射線性等に優れ、電子デバイス、光学デバイス等に特に好適で、多結晶や多型の混入やマイクロパイプ等の欠陥のない高品質な炭化ケイ素単結晶を低コストで効率よく、かつ割れ等の破損がない状態で大口径にしかも容易に製造し得る方法の提供。【解決手段】 昇華させた昇華用原料を再結晶させて炭化ケイ素単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法であって、前記昇華用原料40が炭化ケイ素焼結体を含み、前記炭化ケイ素単結晶60を、その全成長過程を通して、その成長面の全面を凸形状に保持したまま成長させる。
請求項（抜粋）：
昇華させた昇華用原料を再結晶させて炭化ケイ素単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法であって、前記昇華用原料が炭化ケイ素焼結体を含み、前記炭化ケイ素単結晶を、その全成長過程を通して、その成長面の全面を凸形状に保持したまま成長させることを特徴とする炭化ケイ素単結晶の製造方法。
Fターム (11件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BE08 ,  4G077DA18 ,  4G077EA02 ,  4G077EC05 ,  4G077EG18 ,  4G077EG25 ,  4G077SA01 ,  4G077SA07 ,  4G077SA11
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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