特許
J-GLOBAL ID:200903098780679099

半導体装置の製造方法および装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-219681
公開番号(公開出願番号):特開平10-064865
出願日: 1996年08月21日
公開日(公表日): 1998年03月06日
要約:
【要約】【課題】半導体集積回路の高密度化に伴い、より微量な汚染が歩留まり向上の障害となっている。また、ウエハ裏面の汚染についても近年その有害性が問題となっている。ウエハの集積回路形成面とウエハの裏面の汚染除去は別々に行なわれており、半導体装置製造のスループットを著しく低下させていた。【解決手段】エッチングレートの小さい方法でウエハの集積回路形成面を、エッチングレートの大きい方法でウエハの裏面を洗浄することで上記課題を解決した。
請求項(抜粋):
ウエハの集積回路形成面とウエハの裏面をドライ洗浄により清浄にする工程と、当該半導体ウエハの加工処理を行なう工程からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件):
H01L 21/304 341 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/3065
FI (5件):
H01L 21/304 341 D ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 D ,  H01L 21/302 N
引用特許:
審査官引用 (3件)

前のページに戻る