特許
J-GLOBAL ID：200903098785463990

半導体装置の電極形成方法

発明者：
島田 啓二

島田 啓二 について

, 
中村 一世

中村 一世 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-021034
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223443
出願日： 1999年01月29日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：
【要約】【課題】 太陽電池セルの表面電極形成時に、セルの受光面積を減らすことなく、電極を所望通りに厚くして、特性の良い太陽電池を得る。【解決手段】 太陽電池ウェーハ1の表面に、まず、フォトレジスト4で電極パターンを形成し、下地となる電極2を蒸着した後、余分な電極材21を、粘着テープ3を利用して取り除く。その後、下地電極2の上に、所望厚さの電極をメッキにより形成する。
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造方法において、半導体装置表面に下地となる電極を形成した後、その上にメッキを行い所望の電極を形成する際に、下地となる電極を形成するための配線用パターンを残したまま、該配線用パターン部以外に余分に形成された下地電極のみを取り除いた後、メッキを行なうことを特徴とする半導体装置の電極形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/288 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 31/04
FI (5件)：
H01L 21/288 Z ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/306 F ,  H01L 21/88 B ,  H01L 31/04 H
Fターム (32件)：
4K024AB01 ,  4K024AB02 ,  4K024AB08 ,  4K024AB15 ,  4K024BA11 ,  4K024BB12 ,  4K024FA05 ,  4K024FA06 ,  4K024FA07 ,  4K024FA08 ,  4K024GA16 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD68 ,  4M104DD75 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ41 ,  5F043CC02 ,  5F043CC07 ,  5F043CC16 ,  5F043DD30 ,  5F043GG02 ,  5F051BA02 ,  5F051CB21 ,  5F051CB27 ,  5F051EA09 ,  5F051EA11 ,  5F051EA13 ,  5F051FA06 ,  5F051FA30
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (8件)
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