特許
J-GLOBAL ID：200903098789820444

反射防止膜の形成方法

発明者：
白井 久嗣

白井 久嗣 について

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金沢 政男

金沢 政男 について

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中島 伸二

中島 伸二 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-014138
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221004
出願日： 1994年02月08日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】 製造原価がそれ程高くなく、しかも、反射防止膜としての効果が十分高い反射防止膜を形成する方法を提供する。【構成】 シリコンをターゲットとし、窒素ガスを化学量論的組成に対応する量より少なく、特に、アルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス中に含まれる窒素ガスの量をおよそ30乃至40%としてなすスパッタ法を使用してなす反射防止膜の形成方法であり、反射防止膜の屈折率と減衰係数とは、露光光が365nmのときそれぞれ約2.34と約0.06であり、露光光が248nmのときそれぞれ約2.60と約0.30であり、アモルファス炭素の値に近いので、反射防止効果は極めて大きい。
請求項（抜粋）：
シリコンをターゲットとし、化学量論的組成に対応する量より少ない窒素ガスを供給してなすスパッタ法を使用して窒化シリコン膜を形成することを特徴とする反射防止膜の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/318
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-337105   出願人：三菱電機株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-237110   出願人：ソニー株式会社
  • 特開昭59-006540
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審査官引用 (2件)

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