特許
J-GLOBAL ID：200903098797911033

Siポリマー含有フォトレジスト

発明者：
ジョージ・ジー・バークレー

ジョージ・ジー・バークレー について

, 
サバディー・カナガサバパシー

サバディー・カナガサバパシー について


出願人/特許権者：
ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー.

ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. について


代理人 (3件)： 千田 稔 ,  辻永 和徳 ,  橋本 幸治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-361269
公開番号（公開出願番号）：特開2004-212946
出願日： 2003年10月21日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：
【課題】基体上の拡散段差やエッチングされたパターン段差を横断する薄層レジストのパターンを寸法精度良く形成する。【解決手段】ケイ素原子に対するシラノール基の比率を約0.01〜1.5としたケイ素含有ポリマーを含むフォトイメージアブル組成物。また、該ポリマーが、エステル基又はアセタール基であるフォト酸レイビル基を含む化学増幅ポジ型又はネガ型組成物。ハロゲン化されたスルホンアミド基を有するポリシルセスオキサン。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
光活性成分およびポリマー成分を含んでなるポジ型フォトイメージアブル組成物であって、 前記ポリマー成分がSi原子およびシラノール基むポリマーを含んでなり、 前記ポリマーが約0.01〜1.5の、Si原子に対するシラノール基の比を有するフォトイメージアブル組成物。
IPC (7件)：
G03F7/075 ,  C07F7/12 ,  C08G77/26 ,  C08G77/28 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (9件)：
G03F7/075 511 ,  C07F7/12 Q ,  C07F7/12 T ,  C08G77/26 ,  C08G77/28 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 573
Fターム (47件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB28 ,  2H025CB29 ,  2H025CB33 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CB47 ,  2H025FA17 ,  4H049VN01 ,  4H049VP10 ,  4H049VQ10 ,  4H049VQ21 ,  4H049VQ79 ,  4H049VS11 ,  4H049VS12 ,  4H049VU24 ,  4J246AA03 ,  4J246AB01 ,  4J246BA11X ,  4J246BA110 ,  4J246BB02X ,  4J246BB020 ,  4J246CA22X ,  4J246CA220 ,  4J246CA47X ,  4J246CA470 ,  4J246CA74X ,  4J246CA740 ,  4J246CA820 ,  4J246CA85X ,  4J246CA850 ,  4J246FA161 ,  4J246FA421 ,  4J246FA451 ,  4J246FA461 ,  4J246FC161 ,  4J246HA15 ,  5F046NA01
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • 米国特許第4,745,169号明細書
  • 米国特許第5,338,818号明細書
  • 米国特許第5,619,396号明細書
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審査官引用 (2件)

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