特許
J-GLOBAL ID：200903007011961142

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

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高橋 俊明

高橋 俊明 について

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石原 俊信

石原 俊信 について

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渡辺 淳

渡辺 淳 について

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久保田 透

久保田 透 について

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河合 義夫

河合 義夫 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-159834
公開番号（公開出願番号）：特開2002-055456
出願日： 2001年05月29日
公開日（公表日）： 2002年02月20日
要約：
【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物。【化1】(式中、R1は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状の2価の炭化水素基であり、有橋環式炭化水素基であってもよい。Rは水素原子又は酸不安定基であり、0≦m≦3、0≦n≦3、1≦m+n≦6の範囲である。)【効果】 本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特には170nm以下の波長における感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れている。従って、本発明のレジスト材料は、これらの特性より、特にF2エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物。【化1】(式中、R1は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状の2価の炭化水素基であり、有橋環式炭化水素基であってもよい。Rは水素原子又は酸不安定基であり、0≦m≦3、0≦n≦3、1≦m+n≦6の範囲である。)
IPC (8件)：
G03F 7/039 601 ,  C08G 77/24 ,  C08K 5/00 ,  C08L 83/08 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027
FI (8件)：
G03F 7/039 601 ,  C08G 77/24 ,  C08K 5/00 ,  C08L 83/08 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (55件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41 ,  2H096AA00 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096BA20 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA23 ,  2H096HA24 ,  4J002CP031 ,  4J002CP081 ,  4J002CP191 ,  4J002EB116 ,  4J002EJ028 ,  4J002EJ038 ,  4J002EN017 ,  4J002EN057 ,  4J002EU047 ,  4J002EU077 ,  4J002EU117 ,  4J002EU137 ,  4J002EV216 ,  4J002EV246 ,  4J002EV296 ,  4J002FD206 ,  4J002FD207 ,  4J002FD208 ,  4J002GP03 ,  4J035BA01 ,  4J035BA12 ,  4J035CA071 ,  4J035CA082 ,  4J035CA151 ,  4J035CA161 ,  4J035HA01 ,  4J035LB16
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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