高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-159834
公開番号（公開出願番号）：特開2002-055456
出願日： 2001年05月29日
公開日（公表日）： 2002年02月20日
要約：

【要約】【解決手段】下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物。【化1】(式中、R1は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状の2価の炭化水素基であり、有橋環式炭化水素基であってもよい。Rは水素原子又は酸不安定基であり、0≦m≦3、0≦n≦3、1≦m+n≦6の範囲である。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特には170nm以下の波長における感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れている。従って、本発明のレジスト材料は、これらの特性より、特にF2エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物。【化1】(式中、R1は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状の2価の炭化水素基であり、有橋環式炭化水素基であってもよい。Rは水素原子又は酸不安定基であり、0≦m≦3、0≦n≦3、1≦m+n≦6の範囲である。)

IPC (8件)：

G03F 7/039 601 , C08G 77/24 , C08K 5/00 , C08L 83/08 , G03F 7/004 501 , G03F 7/075 511 , G03F 7/40 521 , H01L 21/027

FI (8件)：

G03F 7/039 601 , C08G 77/24 , C08K 5/00 , C08L 83/08 , G03F 7/004 501 , G03F 7/075 511 , G03F 7/40 521 , H01L 21/30 502 R

Fターム (55件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H025FA41 , 2H096AA00 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096BA20 , 2H096EA03 , 2H096EA05 , 2H096EA06 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096HA23 , 2H096HA24 , 4J002CP031 , 4J002CP081 , 4J002CP191 , 4J002EB116 , 4J002EJ028 , 4J002EJ038 , 4J002EN017 , 4J002EN057 , 4J002EU047 , 4J002EU077 , 4J002EU117 , 4J002EU137 , 4J002EV216 , 4J002EV246 , 4J002EV296 , 4J002FD206 , 4J002FD207 , 4J002FD208 , 4J002GP03 , 4J035BA01 , 4J035BA12 , 4J035CA071 , 4J035CA082 , 4J035CA151 , 4J035CA161 , 4J035HA01 , 4J035LB16

引用特許：

審査官引用 (8件)

ポリシロキサンおよび感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-048643 出願人：ジェイエスアール株式会社
感放射線性組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-303204 出願人：東レ株式会社
共重合ポリシロキサンおよび感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-107207 出願人：ジェイエスアール株式会社

全件表示

引用文献：

審査官引用 (1件)

Journal of Chromatography A, 805 (1998), p.217-235

前のページに戻る