特許
J-GLOBAL ID:200903017054694755

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小島 隆司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-070208
公開番号(公開出願番号):特開2002-268226
出願日: 2001年03月13日
公開日(公表日): 2002年09月18日
要約:
【要約】 (修正有)【解決手段】 下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物。(式中、Aは2価の有機基であり、このAの両端でそれぞれ結合する炭素原子と共に、有橋環式であってもよく、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数4〜20の環状の炭化水素基を形成する。R1、R2、R3は水素原子、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、又は炭素数1〜4のフッ素化されたアルキル基を示し、R1、R2、R3の内の少なくとも一つはフッ素原子含む。R4は酸不安定基である。)【効果】 本レジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特には170nm以下の波長における感度、解像性、及びプラズマエッチング耐性に優れている。従って、これらの特性より、特にF2エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成できる。
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物。【化1】(式中、Aは2価の有機基であり、このAの両端でそれぞれ結合する炭素原子と共に、有橋環式であってもよく、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数4〜20の環状の炭化水素基を形成する。R1、R2、R3は水素原子、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、又は炭素数1〜4のフッ素化されたアルキル基を示し、R1、R2、R3の内の少なくとも一つはフッ素原子含む。R4は酸不安定基である。)
IPC (6件):
G03F 7/039 601 ,  C08G 77/24 ,  C08K 5/00 ,  C08L 83/08 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027
FI (6件):
G03F 7/039 601 ,  C08G 77/24 ,  C08K 5/00 ,  C08L 83/08 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (61件):
2H025AA01 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB33 ,  2H025CB41 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA04 ,  2H096EA06 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA24 ,  4J002CP051 ,  4J002CP081 ,  4J002DF008 ,  4J002EB017 ,  4J002EB117 ,  4J002EC036 ,  4J002ED026 ,  4J002EE036 ,  4J002EH036 ,  4J002EH156 ,  4J002EJ029 ,  4J002EJ039 ,  4J002EJ049 ,  4J002EJ069 ,  4J002EN028 ,  4J002EN038 ,  4J002EN048 ,  4J002EN068 ,  4J002EN078 ,  4J002EU028 ,  4J002EU048 ,  4J002EU078 ,  4J002EU118 ,  4J002EU128 ,  4J002EU138 ,  4J002EU148 ,  4J002EU228 ,  4J002EV247 ,  4J002EV297 ,  4J002EV328 ,  4J002FD207 ,  4J002GP03 ,  4J035BA12 ,  4J035CA071 ,  4J035CA16N ,  4J035CA162 ,  4J035EA01 ,  4J035LA03 ,  4J035LB16
引用特許:
審査官引用 (19件)
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