高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：小島隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-070208
公開番号（公開出願番号）：特開2002-268226
出願日： 2001年03月13日
公開日（公表日）： 2002年09月18日
要約：

【要約】 (修正有)【解決手段】下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物。(式中、Aは2価の有機基であり、このAの両端でそれぞれ結合する炭素原子と共に、有橋環式であってもよく、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数4〜20の環状の炭化水素基を形成する。R1、R2、R3は水素原子、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、又は炭素数1〜4のフッ素化されたアルキル基を示し、R1、R2、R3の内の少なくとも一つはフッ素原子含む。R4は酸不安定基である。)【効果】本レジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特には170nm以下の波長における感度、解像性、及びプラズマエッチング耐性に優れている。従って、これらの特性より、特にF2エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成できる。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物。【化1】(式中、Aは2価の有機基であり、このAの両端でそれぞれ結合する炭素原子と共に、有橋環式であってもよく、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数4〜20の環状の炭化水素基を形成する。R1、R2、R3は水素原子、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、又は炭素数1〜4のフッ素化されたアルキル基を示し、R1、R2、R3の内の少なくとも一つはフッ素原子含む。R4は酸不安定基である。)

IPC (6件)：

G03F 7/039 601 , C08G 77/24 , C08K 5/00 , C08L 83/08 , G03F 7/40 521 , H01L 21/027

FI (6件)：

G03F 7/039 601 , C08G 77/24 , C08K 5/00 , C08L 83/08 , G03F 7/40 521 , H01L 21/30 502 R

Fターム (61件)：

2H025AA01 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB33 , 2H025CB41 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 2H025FA41 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096EA04 , 2H096EA06 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096HA24 , 4J002CP051 , 4J002CP081 , 4J002DF008 , 4J002EB017 , 4J002EB117 , 4J002EC036 , 4J002ED026 , 4J002EE036 , 4J002EH036 , 4J002EH156 , 4J002EJ029 , 4J002EJ039 , 4J002EJ049 , 4J002EJ069 , 4J002EN028 , 4J002EN038 , 4J002EN048 , 4J002EN068 , 4J002EN078 , 4J002EU028 , 4J002EU048 , 4J002EU078 , 4J002EU118 , 4J002EU128 , 4J002EU138 , 4J002EU148 , 4J002EU228 , 4J002EV247 , 4J002EV297 , 4J002EV328 , 4J002FD207 , 4J002GP03 , 4J035BA12 , 4J035CA071 , 4J035CA16N , 4J035CA162 , 4J035EA01 , 4J035LA03 , 4J035LB16

引用特許：

審査官引用 (19件)

高分子シリコーン化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-029321 出願人：信越化学工業株式会社
高分子シリコーン化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-227633 出願人：信越化学工業株式会社
感光性組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-012671 出願人：富士写真フイルム株式会社

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