特許

J-GLOBAL ID：200903098835100281

複数個の半導体装置を製造する方法

発明者： 紀國 雅宏
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-021951
公開番号（公開出願番号）：特開2008-187153
出願日： 2007年01月31日
公開日（公表日）： 2008年08月14日
要約：

【課題】 薄板化された中削りウェーハをダイシングするために、裏面側からダイシングラインを決定できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 ウェーハ2の表面2bに表面側電極(8a、8b、8c・・)を形成し、裏面2aにリブ6を形成した後、透過型計測装置14にて表面側電極の位置を計測し、表面側電極を仕切る格子線がリブ6の裏面6aを通過する位置に沿って溝12を形成する。溝12が後に形成する裏面側電極の厚みの二倍以上の幅を持っていると、裏面側電極形成後もCCDカメラによる溝位置の計測が可能で、これをもとにダイシングラインを決定することができる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

ウェーハをダイシングする工程を経て、表裏両面に電極が形成されている半導体装置の複数個を製造する方法であり、 ウェーハ内に、単位となる半導体装置を構成する単位となる半導体構造の複数個を、ウェーハを平面視したときに格子状に配置されている位置関係で形成する工程と、 ウェーハの表面に、単位となる半導体構造に対応する単位となる表面側電極の複数個を、ウェーハを平面視したときに格子状に配置されている位置関係で形成する工程と、 ウェーハの裏面の中央部を研磨することによって、ウェーハの中央部を半導体装置に必要な厚さにまで薄板化するとともに、ウェーハの裏面の周辺部にリブを残す工程と、 ウェーハの裏面側から透視し、ウェーハの表面に格子状に配置されている複数個の表面側電極を仕切っている格子線位置を計測する工程と、 その計測工程で計測された格子線が通過する位置において、前記リブの裏面にダイシング用マークを形成する工程と、 ウェーハの全裏面に裏面側電極を形成する工程と、 その裏面側電極の裏面に残存しているダイシング用マークを基準にして、ウェーハをダイシングする工程と、 を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/301

FI (2件)：

H01L21/78 L ,  H01L21/78 C

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体ウエーハの分割方法および分割装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-178182   出願人：株式会社ディスコ

審査官引用 (1件)

• ウエーハの分割方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-013932   出願人：株式会社ディスコ