特許
J-GLOBAL ID：200903098850453972

半導体装置の製造方法

発明者：
河浪 孝二

河浪 孝二 について

, 
田渕 清隆

田渕 清隆 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-250614
公開番号（公開出願番号）：特開2007-067132
出願日： 2005年08月31日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：
【課題】水素を主成分とした還元性ガスを用いた熱還元処理および還元性ガスを用いたプラズマ処理を併用して行うことで、自然酸化膜の除去を可能とする。【解決手段】基板10に形成された層間絶縁膜11に、表面が露出する様に銅を含む導電層15を形成する工程と、前記導電層15表面に対して水素を主成分とした還元性ガスを用いた熱還元処理を行う工程と、前記導電層15表面に対して還元性ガスを含むプラズマ処理を行うことによって前記導電層15表面に対して還元処理を行うとともに前記熱還元処理により吸着された水素を脱離させる工程と、前記プラズマ処理後の前記導電層15表面が酸素を含む雰囲気にさらされることなく前記導電層15表面を被覆する酸化防止膜17を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板に形成された層間絶縁膜に、表面が露出する様に銅を含む導電層を形成する工程と、 前記導電層表面に対して水素を主成分とした還元性ガスを用いた熱還元処理を行う工程と、 前記導電層表面に対して還元性ガスを含むプラズマ処理を行うことによって前記導電層表面に対して還元処理を行うとともに前記熱還元処理により吸着された水素を脱離させる工程と、 前記プラズマ処理後の前記導電層表面が酸素を含む雰囲気にさらされることなく前記導電層表面を被覆する酸化防止膜を形成する工程と を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/306
FI (2件)：
H01L21/88 M ,  H01L21/302 105A
Fターム (31件)：
5F004AA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA25 ,  5F004DB03 ,  5F004EB02 ,  5F004FA01 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ84 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033SS15 ,  5F033XX20
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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