特許

J-GLOBAL ID：200903098857584509

基板処理装置および半導体装置の製造方法

発明者： 佐野 敦 ,  板谷 秀治 ,  田辺 光朗
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-057741
公開番号（公開出願番号）：特開2008-277762
出願日： 2008年03月07日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：

【課題】処理室内に発生した異物の攪拌を抑制することにより、基板への異物の吸着を抑制することが可能な基板処理装置、および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 基板を処理する処理室と、処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給ラインと、処理室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給ラインと、不活性ガス供給ラインに設けられ不活性ガス供給ラインに供給された不活性ガスを処理室内に供給することなく排気する不活性ガスベントラインと、不活性ガス供給ラインの不活性ガスベントラインが設けられる部分よりも下流側に設けられた第1バルブと、不活性ガスベントラインに設けられた第2バルブと、処理室内を排気する排気ラインと、を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板を処理する処理室と、 前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給ラインと、 前記処理室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給ラインと、 前記不活性ガス供給ラインに設けられ前記不活性ガス供給ラインに供給された前記不活性ガスを前記処理室内に供給することなく排気する不活性ガスベントラインと、 前記不活性ガス供給ラインの前記不活性ガスベントラインが設けられる部分よりも下流側に設けられた第1バルブと、 前記不活性ガスベントラインに設けられた第2バルブと、 前記処理室内を排気する排気ラインと、を有する ことを特徴とする基板処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/52

FI (3件)：

H01L21/31 B ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Fターム (39件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA10 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030FA14 ,  4K030GA06 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030KA41 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045BB15 ,  5F045DC53 ,  5F045DP03 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE01 ,  5F045EE14 ,  5F045EE19 ,  5F045EF05 ,  5F045EH18 ,  5F045EK07 ,  5F045GB05 ,  5F045GB15

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-087666   出願人：株式会社日立国際電気
• リモートプラズマを利用してウェーハに薄膜を蒸着する装置及び方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-586390   出願人：アイピーエスリミテッド
• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-346140   出願人：株式会社日立国際電気