ウエハ表面洗浄方法およびウエハの総合研磨洗浄装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤正年 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-089982
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270396
出願日： 1997年03月26日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】半導体ウェハ表面の変質を防止でき、且つ高清浄度表面を維持したまま効率的に研磨洗浄工程から次の工程へ移行することが可能なウェハの表面洗浄方法および総合研磨洗浄装置を得ること。【解決手段】ウェハ基板の表面に対し、水研磨洗浄工程にて研磨材を含まない洗浄水のみを供給して研磨し、搬出工程にて前記水研磨洗浄されたウェハ基板を、少なくとも研磨した表面が搬送水に接した状態で搬出する。

請求項（抜粋）：

ウエハ基板の表面の異物等の除去や微細粗さ向上等を目的とする半導体ウエハの表面洗浄方法であって、前記ウエハ基板の表面に対し、研磨材を含まない洗浄水のみを供給して研磨する水研磨洗浄工程と、前記水研磨洗浄されたウエハ基板を、少なくとも研磨した表面が搬送水に接した状態で搬出する搬出工程と、を有することを特徴とするウエハの表面洗浄方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 321 , H01L 21/304 341 , H01L 21/304

FI (3件)：

H01L 21/304 321 A , H01L 21/304 341 C , H01L 21/304 341 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭63-267159
特開昭62-035531
半導体ウエーハから微粒子汚染物を除去する方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-028190 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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