特許
J-GLOBAL ID：200903098919958010
ルミネセンス変換エレメントを備えた光放出半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-579375
公開番号（公開出願番号）：特表2003-532299
出願日： 2001年04月26日
公開日（公表日）： 2003年10月28日
要約：
【要約】本発明は、半導体基体(3)が基体(1)の凹所に配置されている、ルミネセンス変換エレメント(7)を備えている光放出半導体素子に関する。凹所内で半導体基体の周りに小鉢形状の領域が成形されており、該領域はルミネセンス変換エレメント(7)を含んでおりかつ該ルミネセンス変換エレメントが半導体基体を被覆している。小鉢形状の領域は凹所内のくぼみとしてまたはリング形状の囲いとして凹所の基部に成形されている。
請求項（抜粋）：
凹所が設けられている基体(1)と、少なくとも1つの半導体基体(3)と、ルミネセンス変換エレメント(7)とを備えている光放出半導体素子において、前記凹所は小鉢形状に成形されている部分領域を有しており、該部分領域に半導体基体(3)が配置されておりかつルミネセンス変換エレメント(7)が充填されており、ここで該ルミネセンス変換エレメント(7)は、小鉢形状の部分領域を凹所のその他の内部空間に対して区別する境界面を有していることを特徴とする光放出半導体素子。
Fターム (11件)：
5F041AA43
, 5F041AA44
, 5F041DA07
, 5F041DA12
, 5F041DA36
, 5F041DA44
, 5F041DA45
, 5F041DA46
, 5F041DB09
, 5F041DC03
, 5F041EE25
