特許

J-GLOBAL ID：200903098927803521

ランダムアクセスメモリにおける列アクセスの加速化用データバス構造

発明者： グラハム アラン ,  フランソワ ラロシェル
出願人/特許権者： モスエイド テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 伊東 忠彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-306727
公開番号（公開出願番号）：特開平7-220475
出願日： 1994年12月09日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】 本発明は「2Nルール」の制限をうけることなく、高速バーストレートで列アドレスをアクセスし、新しいランダムな列アドレスを各クロック周期に入力し得る半導体ランダムアクセスメモリの提供を目的とする。【構成】 本発明のビットラインに接続された検出増幅器と、データバス読み出し及び書き込み増幅器を有する半導体ランダムアクセスメモリの読み出し又は書き込み方法は、検出増幅器及び読み出し及び書き込み増幅器がアクセスする1対のデータバスを設け、第1の読み出し又は書き込みサイクル中に一方のデータバスを事前充電すると共に他方のデータバスを読み出し又は書き込み、第1の読み出し又は書き込みサイクルに続く第2の読み出し又は書き込みサイクル中に上記他方のデータバスを事前充電すると共に上記一方のデータを読み出し又は書き込む段階よりなる。

請求項（抜粋）：

ビットラインに接続された検出増幅器と、データバス読み出し及び書き込み増幅器とを有する半導体ランダムアクセスメモリの読み出し又は書き込み方法であって:a) 検出増幅器と、読み出し及び書き込みの増幅器とによるアクセス用の一対のデータバスを設け、b) 第1の読み出し又は書き込みサイクルの間に一方のデータバスを事前に充電すると共に他方のデータバスを書き込み又は読み出し、c) 第1の読み出し又は書き込みサイクルに続く第2の読み出し又は書き込みサイクルの間に該他方のデータバスを事前に充電すると共に該一方のデータバスを読み出し又は書き込む段階よりなる、半導体ランダムアクセスメモリの読み出し又は書き込み方法。

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-168779   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-017671   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭63-009096
  
• 特開平2-083891
  
• 特開昭59-104791