特許

J-GLOBAL ID：200903098964047710

半導体装置およびその製造方法

発明者： 青木 由隆
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 長南 満輝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-100738
公開番号（公開出願番号）：特開2006-286690
出願日： 2005年03月31日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：

【課題】 ポリイミド系樹脂などの熱硬化性樹脂からなる保護膜上に強誘電体膜を有する薄膜容量素子が設けられた半導体装置において、強誘電体膜を形成するとき、その下の絶縁膜が熱的ダメージを受けないようにする。【解決手段】 ポリイミド系樹脂などの熱硬化性樹脂からなる保護膜5上に強誘電体膜9を水熱合成法により形成する。この場合、水熱合成法により強誘電体膜9を形成するときの処理温度は200°C以下と比較的低温であるので、ポリイミド系樹脂などの熱硬化性樹脂からなる保護膜5が熱的ダメージを受けないようにすることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

上面に複数の接続パッドを有する半導体基板と、 前記半導体基板上に前記接続パッドを除く部分を覆うように設けられた樹脂からなる絶縁膜と、 前記絶縁膜上に前記接続パッドに接続されて設けられた下部電極、該下部電極上に水熱合成法により形成されて設けられた強誘電体膜、および該強誘電体膜上に設けられた上部電極を有する薄膜容量素子と、 を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/316 ,  H01L 23/12 ,  H01L 25/00 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/320

FI (5件)：

H01L27/04 C ,  H01L21/316 B ,  H01L23/12 501P ,  H01L25/00 B ,  H01L21/88 T

Fターム (39件)：

5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033NN19 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS21 ,  5F033VV07 ,  5F033VV10 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038AC19 ,  5F038BE07 ,  5F038CA02 ,  5F038CA10 ,  5F038CA16 ,  5F038EZ04 ,  5F038EZ07 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA06 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF41 ,  5F058BJ04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特許第3499255号公報
  

審査官引用 (2件)

• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-243765   出願人：株式会社アイ・イー・ピー・テクノロジーズ, カシオ計算機株式会社
• 薄型コンデンサとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-013403   出願人：北陸電気工業株式会社