特許

J-GLOBAL ID：200903098967685823

磁性制御方法

発明者： 江村 修一 ,  朝日 一 ,  周 逸凱
出願人/特許権者： 国立大学法人大阪大学
代理人 (1件)： 新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-319153
公開番号（公開出願番号）：特開2008-135480
出願日： 2006年11月27日
公開日（公表日）： 2008年06月12日
要約：

【課題】強磁性から常磁性への転移が必要とされる、強磁性体を用いたデバイスを小型化することが可能な磁性制御方法を提供する。【解決手段】強磁性半導体110の強磁性を常磁性に転移させる方法であって、光照射又は電界印加により強磁性半導体110に強磁性半導体110のバンドギャップエネルギー以上のエネルギーを与えて強磁性半導体110内に伝導電子を発生させ、該伝導電子により強磁性半導体110における強磁性を担うイオンの価数を変化させて強磁性半導体110の強磁性を常磁性に転移させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

強磁性体の強磁性を常磁性に転移させる方法であって、 前記強磁性体内に伝導電子又は正孔を発生させ、前記伝導電子又は正孔を前記強磁性体の強磁性を担う元素にトラップさせることにより前記転移を行わせる ことを特徴とする磁性制御方法。

IPC (7件)：

H01L 29/82 ,  H01F 10/193 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 33/00 ,  G02F 1/01 ,  H01F 1/40

FI (6件)：

H01L29/82 Z ,  H01F10/193 ,  H01L27/10 447 ,  H01L33/00 C ,  G02F1/01 F ,  H01F1/00 A

Fターム (29件)：

2H079AA02 ,  2H079AA03 ,  2H079AA08 ,  2H079BA02 ,  2H079CA23 ,  2H079DA16 ,  2H079EA08 ,  2H079KA05 ,  4M119AA20 ,  4M119BB20 ,  4M119CC01 ,  4M119CC07 ,  4M119DD01 ,  4M119JJ01 ,  5E040AA20 ,  5E040CA06 ,  5E040CA11 ,  5E049AA10 ,  5E049BA06 ,  5E049DB04 ,  5F041AA47 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041EE25 ,  5F041FF16 ,  5F092AB06 ,  5F092AC30 ,  5F092BD07

引用特許：

出願人引用 (1件)

• III-V族半導体材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-329166   出願人：株式会社アルバック