プラズマクリーニング方法および基板処理方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-185161
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019853
出願日： 2003年06月27日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】ハロゲン化合物を含むクリーニングガスにプラズマを着火し、クリーニングを行う。【解決手段】プラズマ発生装置に希ガスとハロゲンガスの混合ガスを、所定のクリーニングプロセスで使われる所定の圧力よりも低い圧力で導入し、プラズマを着火する。さらにその後、前記混合ガスの圧力を前記所定の圧力まで増大する。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

処理容器内部を、プラズマ励起されたクリーニングガスのラジカルにより、第1の圧力帯でクリーニングするプラズマクリーニング方法であって、プラズマ発生装置に希釈ガスとクリーニングガスの混合ガスを、前記第1の圧力帯よりも低い第2の圧力帯で導入し、プラズマを着火する工程と、前記処理容器内部の圧力を、前記第2の圧力帯から前記第1の圧力帯まで増大させる工程を含むことを特徴とするプラズマクリーニング方法。

IPC (7件)：

H01L21/205 , B01J19/08 , B08B7/00 , C23C16/44 , H01L21/304 , H01L21/3065 , H05H1/46

FI (7件)：

H01L21/205 , B01J19/08 E , B08B7/00 , C23C16/44 J , H01L21/304 645C , H05H1/46 A , H01L21/302 101H

Fターム (43件)：

3B116AA02 , 3B116AA03 , 3B116AB01 , 3B116BB89 , 3B116BC01 , 4G075AA24 , 4G075AA30 , 4G075BB10 , 4G075BC04 , 4G075BC06 , 4G075CA62 , 4G075DA02 , 4G075EB01 , 4G075EB41 , 4G075EB42 , 4G075EB44 , 4K030DA06 , 4K030JA06 , 4K030JA09 , 5F004AA15 , 5F004BA04 , 5F004BA14 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004BD04 , 5F004CA02 , 5F004CA07 , 5F004DA00 , 5F004DA17 , 5F004DA23 , 5F045AA08 , 5F045AA09 , 5F045AA10 , 5F045AC02 , 5F045AC16 , 5F045EB06 , 5F045EE14 , 5F045EE17 , 5F045EH11 , 5F045EH13 , 5F045EH17 , 5F045EH18 , 5F045EH19

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-170678
チャンバークリーニング方法、成膜装置、及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-349387 出願人：三菱重工業株式会社
半導体処理中のガスの利用効率を向上させるための方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-174595 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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