チャンバークリーニング方法、成膜装置、及び半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：工藤実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-349387
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151971
出願日： 2001年11月14日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【課題】フッ素を含むクリーニングガスを使用してプラズマを発生するチャンバークリーニング方法のクリーニング効率を向上する。【解決手段】本発明によるチャンバークリーニング方法は、フッ素を含むクリーニングガスをチャンバー(1)に供給することと、そのクリーニングガスがチャンバー(1)に導入された状態で、誘導結合プラズマをチャンバー(1)に発生し、チャンバー(1)をクリーニングすることとを備えている。フッ素を含むクリーニングガスの誘導結合プラズマを用いてチャンバーをクリーニングすることにより、チャンバー(1)のクリーニング効率が向上する。

請求項（抜粋）：

フッ素を含むクリーニングガスをチャンバーに供給することと、前記クリーニングガスが前記チャンバーに導入された状態で、誘導結合プラズマを前記チャンバーに発生し、前記チャンバーをクリーニングすることとを備えたチャンバークリーニング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/31 , C23C 16/44 , H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/31 C , C23C 16/44 J , H01L 21/302 N

Fターム (31件)：

4K030BA29 , 4K030BA35 , 4K030BA40 , 4K030DA06 , 4K030JA06 , 5F004AA15 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004BC03 , 5F004BD04 , 5F004CA02 , 5F004DA00 , 5F004DA17 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB34 , 5F045AC01 , 5F045AC02 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045EB06 , 5F045EE04 , 5F045EE17 , 5F045EH02 , 5F045EH11 , 5F045HA02 , 5F045HA12

引用特許：

審査官引用 (4件)

プラズマ処理装置及びそのクリーニング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-179512 出願人：東京エレクトロン株式会社
プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-079726 出願人：東京エレクトロン株式会社
発熱体CVD装置及び付着膜の除去方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-222088 出願人：アネルバ株式会社, 科学技術振興事業団

全件表示

前のページに戻る