特許
J-GLOBAL ID：200903098996107286

単結晶薄膜形成方法

発明者：
植山 須美義

植山 須美義 について


出願人/特許権者：
株式会社メガチップス

株式会社メガチップス について


代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-010900
公開番号（公開出願番号）：特開平8-208382
出願日： 1995年01月26日
公開日（公表日）： 1996年08月13日
要約：
【要約】【目的】 任意の基板の上に容易に単結晶薄膜を形成する。【構成】 Si0<SB>2</SB>基板31を略600 ゚Cに保ちつつSiH<SB>4</SB>を供給することによってCVDを実行し、Si0<SB>2</SB>基板31の上にSiを堆積させる。このときSiは、<110>方向がSi0<SB>2</SB>基板31の表面に垂直な方向に揃った軸配向多結晶体として堆積する。同時に、堆積しつつあるSiの表面にNeのビームを、Si0<SB>2</SB>基板31の表面に垂直な方向と35 ゚の入射角度をもって照射する。その結果、最稠密面に垂直な方向である<111>方向がビームの方向に向くように、Si原子の再配列が起こる。このため、Si0<SB>2</SB>基板31の上面に単結晶Si薄膜33が形成される。【効果】 軸配向多結晶薄膜を形成する際と同一の条件の下で、ビーム照射を加えるだけの容易な方法で単結晶薄膜が得られる。
請求項（抜粋）：
基板の上に所定の物質の単結晶薄膜を形成する単結晶薄膜形成方法であって、(a)一つの結晶軸が第1方向に揃った軸配向多結晶体として前記所定の物質が堆積する条件の下で当該所定の物質を前記基板の上に堆積させる工程と、(b)前記工程(a)と同時に、前記所定の物質のスパッタリングを引き起こさない低エネルギーの気体のビームを、前記第1方向に前記一つの結晶軸が配向する前記所定の物質の単結晶体における最稠密面に垂直な方向であってしかも前記第1方向とは異なる第2方向から、前記所定の物質の表面へ向かって照射することにより、当該所定の物質を単結晶体へと転換する工程と、を備える単結晶薄膜形成方法。
IPC (4件)：
C30B 25/02 ,  C30B 29/06 504 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/205
引用特許：
審査官引用 (4件)
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