特許
J-GLOBAL ID：200903098998326996
半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小島 清路
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-009904
公開番号（公開出願番号）：特開2000-204353
出願日： 1999年01月18日
公開日（公表日）： 2000年07月25日
要約：
【要約】【課題】 十分な研磨速度が得られ、且つ被研磨面に傷が付くことがない半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体、及びこの水系分散体によって被加工膜を研磨し、半導体装置を製造する方法を提供する。【解決手段】 各種の熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂からなる重合体粒子と、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア等からなる無機粒子とを含有し、重合体粒子の平均粒子径が無機粒子の平均粒子径以下である半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体を得る。また、無機粒子の平均粒子径が0.1〜1.0μmであり、且つ重合体粒子の平均粒子径より小さい水系分散体を得る。更に、これらの水系分散体を研磨剤として用い、超LSI等の半導体装置の基板上に設けられるシリコン酸化膜、アルミニウム膜等の被加工膜を研磨し、半導体装置を製造する。
請求項（抜粋）：
重合体粒子及び無機粒子を含有し、該重合体粒子の平均粒子径が該無機粒子の平均粒子径以下であることを特徴とする、半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体。
IPC (6件)：
C09K 3/14 550
, C09K 3/14
, B24B 1/00
, B24B 37/00
, C08J 5/14
, H01L 21/304 622
C09K 3/14 550 C
, C09K 3/14 550 D
, B24B 1/00 A
, B24B 37/00 H
, C08J 5/14
, H01L 21/304 622 D
3C049AA07
, 3C049AC04
, 3C049CB01
, 3C049CB03
, 3C058AA07
, 3C058AC04
, 3C058DA02
, 4F071AA15
, 4F071AA20
, 4F071AA21
, 4F071AA22
, 4F071AA22X
, 4F071AA24
, 4F071AA33
, 4F071AA33X
, 4F071AA40
, 4F071AA43
, 4F071AA50
, 4F071AA51
, 4F071AA54
, 4F071AA60
, 4F071AB01
, 4F071AB18
, 4F071AB26
, 4F071AD02
, 4F071AE13
, 4F071AH19
, 4F071DA18
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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