半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：高田守 , 高橋英樹 , 大阿久敦子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-332124
公開番号（公開出願番号）：特開2006-147655
出願日： 2004年11月16日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：

【課題】疎水性の低誘電率絶縁膜を用いて、信頼性および電気的特性に優れた半導体装置を製造する方法を提供する。【解決手段】アンモニアプラズマ14によって、SiOC膜8の表面に形成された疎水性のダメージ層を親水性の改質層15に変える。改質層15はフッ酸水溶液などに可溶であるので、改質層15を除去することによって、表面に清浄なSiOC膜8を露出させることができる。改質層15の膜厚は0.5nm〜10nmであることが好ましく、1nm〜5nmであることがより好ましい。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

半導体基板の上方に、比誘電率が3.2以下である疎水性の層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜の上にキャップ膜を形成する工程と、前記キャップ膜および前記層間絶縁膜に開口部を形成する工程と、前記キャップ膜の上と前記開口部の内面にバリアメタル膜を形成する工程と、前記開口部を埋め込むようにして前記バリアメタル膜の上に銅層を形成する工程と、前記開口部内に前記銅層および前記バリアメタル膜が残るようにして、前記銅層、前記バリアメタル膜および前記キャップ層を化学的機械研磨法によって除去し、前記層間絶縁膜を露出させる工程と、露出した前記層間絶縁膜にアンモニアプラズマ処理を施し、前記層間絶縁膜の表面に親水性の改質層を形成する工程と、前記改質層を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01L 21/304

FI (3件)：

H01L21/90 J , H01L21/304 645C , H01L21/90 A

Fターム (36件)：

5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033JJ11 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033KK01 , 5F033KK11 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ20 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ93 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033SS15 , 5F033WW02 , 5F033WW03 , 5F033WW04 , 5F033WW05 , 5F033WW06 , 5F033WW07 , 5F033WW09 , 5F033XX31

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-151268 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

審査官引用 (1件)

電子デバイス及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-243260 出願人：松下電器産業株式会社

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