特許
J-GLOBAL ID：200903073071131575

半導体集積回路装置の製造方法

発明者：
野口 純司

野口 純司 について

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大島 隆文

大島 隆文 について

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三浦 典子

三浦 典子 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-151268
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347299
出願日： 2002年05月24日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：
【要約】【課題】 埋込配線を有する半導体集積回路装置のストレスマイグレーション不良を抑制または防止する。【解決手段】 絶縁膜15a,11b,12b,15bに配線溝16aを形成した後、CMP法により配線溝16a内に導電性バリア膜17aと銅を主成分とする主導体膜18aとを有する埋込第2層配線L2を形成する。続いて、洗浄処理およびアンモニアプラズマ処理を経た後、ウエハ1WのCMP面をモノシラン等のような無機系シラン化合物ガスに晒すことにより、埋込第2層配線L2の主導体膜18aの表層に微量のシリコンを固溶させる。その後、成膜ガスとして有機系シラン化合物ガスを用いたCVD法によりウエハ1Wの主面上に窒化シリコンよりも誘電率の低い材料を主体とする配線キャップ用の絶縁膜15bを堆積する。
請求項（抜粋）：
以下の工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法;(a)ウエハ上に第1絶縁膜を堆積する工程、(b)前記第1絶縁膜に配線開口部を形成する工程、(c)前記配線開口部内に、銅の拡散に対してバリア性を有する第1導体膜および銅を主成分とする第2導体膜を含む配線を形成する工程、(d)前記第1絶縁膜および配線の表面に対して還元性プラズマ処理を施す工程、(e)前記配線の表面に銅の拡散を抑制または防止するような第1原子を固溶させる工程、(f)前記第1絶縁膜および配線上に、成膜ガスとして有機系シラン化合物ガスを用いる化学気相成長法によって第2絶縁膜を堆積する工程。
IPC (3件)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092
FI (2件)：
H01L 21/88 M ,  H01L 27/08 321 F
Fターム (57件)：
5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH23 ,  5F033HH25 ,  5F033HH27 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK03 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK18 ,  5F033KK25 ,  5F033KK27 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR15 ,  5F033RR21 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033XX06 ,  5F033XX24 ,  5F048AA01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BE03 ,  5F048BF01 ,  5F048BF12 ,  5F048BF16 ,  5F048BF17 ,  5F048BG14
引用特許：
審査官引用 (7件)
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