炭化ケイ素MOS電界効果トランジスタおよびその製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-334920
公開番号（公開出願番号）：特開2006-147789
出願日： 2004年11月18日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：

【課題】低濃度p型堆積膜内にチャネル領域とイオン注入によってn型に打ち返したベース領域を備えたSiC縦型MOSFETでは、オフ時にはゲート酸化膜の絶縁破壊が起こり、さらなる高耐圧化を阻害していた。【解決手段】低濃度p型堆積膜と高濃度ゲート層の間に低濃度n型堆積膜を介在させ、かつ、イオン注入によってn型に打ち返したベース領域を低濃度p型堆積膜内に選択的に形成して、高濃度ゲート層とチャネル領域およびゲート酸化膜との間の堆積膜の厚さを大きくすることで解決する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1伝導型炭化ケイ素基板(1)上に第1伝導型炭化ケイ素からなる第1の堆積膜(2)が形成されており、その上に第1伝導型炭化ケイ素からなる第2の堆積膜(33)が形成されており、さらにその上に第2伝導型炭化ケイ素からなる第3の堆積膜(32)が形成されており、該第3の堆積膜内には選択的に第1伝導型のベース領域(4)と第2伝導型のゲート領域(11)が形成されており、少なくとも該第2伝導型のゲート領域の表面上にはゲート絶縁膜(6)を介してゲート電極(7)が設けられており、前記第2伝導型のゲート領域(11)内には選択的に第1伝導型の高濃度ソース領域(5)が形成されており、前記第1伝導型炭化ケイ素基板(1)の表面にドレイン電極(10)が低抵抗接続され、前記第1の堆積膜(2)と前記第2の堆積膜(33)の間には第2伝導型の高濃度ゲート層(31)が介在し、前記高濃度ソース領域(5)ならびに前記高濃度ゲート層(31)の表面にソース電極(9)が低抵抗接続されており, 該第2伝導型の高濃度ゲート層は部分欠如部(24)を有し、該部分欠如部(24)において前記第2の堆積膜(33)が前記第1の堆積膜(2)に直接接し、さらに該部分欠如部(24)が投影される領域において前記第3の堆積膜(32)内の前記第1伝導型のベース領域(4)が前記第2の堆積膜(33)に直接接することを特徴とした半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 29/06 , H01L 29/12 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L29/78 652H , H01L29/78 652G , H01L29/78 652P , H01L29/78 652T , H01L29/78 658A , H01L29/78 658E

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