半導体デバイスおよび電極形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-121730
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319593
出願日： 2001年04月19日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：

【要約】【課題】半導体デバイスの作成工程での熱処理による不要な合金化等の問題を回避した構造の電極を備えた半導体デバイスとその電極作成方法を提供すること。【解決手段】半導体層(n型GaN層15)との電気的接続を果たす電極22および23を、アルミニウム、金の順に、アルミニウムと金の厚さの比が3:1またはアルミニウムの比が3以上となるように形成する。

請求項（抜粋）：

半導体層との電気的接続を果たす電極が、前記半導体層上にアルミニウム、金の順に積層されるとともに前記アルミニウムと金の厚さの比が3:1またはアルミニウムの比を3以上とした構造で形成されたことを特徴とする半導体デバイス。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 21/28 301 , H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 21/28 301 H , H01L 29/80 F

Fターム (45件)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB03 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB24 , 4M104BB27 , 4M104BB28 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD09 , 4M104DD16 , 4M104DD34 , 4M104EE09 , 4M104EE16 , 4M104FF13 , 4M104GG12 , 4M104GG18 , 4M104HH05 , 4M104HH12 , 5F102FA02 , 5F102GA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GL08 , 5F102GM04 , 5F102GN04 , 5F102GR04 , 5F102GS01 , 5F102GS07 , 5F102GS09 , 5F102GT02 , 5F102GT03 , 5F102GT10 , 5F102GV07 , 5F102HC01 , 5F102HC15

引用特許：

審査官引用 (5件)

オーミック電極の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-158640 出願人：沖電気工業株式会社
半導体発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-334574 出願人：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
特開昭62-203370

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