特許
J-GLOBAL ID：200903099087682783

電子デバイス用材料およびその製造方法

発明者：
菅原 卓也

菅原 卓也 について

, 
尾▲崎▼ 成則

尾▲崎▼ 成則 について

, 
佐々木 勝

佐々木 勝 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (5件)： 石田 敬 ,  鶴田 準一 ,  宮本 哲夫 ,  西山 雅也 ,  樋口 外治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-323261
公開番号（公開出願番号）：特開2008-147678
出願日： 2007年12月14日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：
【課題】優れたデバイス特性(例えば、優れたホウ素バリア性)を有する酸窒化膜を含む電子デバイス用材料及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の電子デバイス用材料は、電子デバイス用基材と、該基材上に配置されたシリコン酸窒化膜とを少なくとも含み、シリコン酸窒化膜は、アンテナを用いてシリコン酸化膜表面をArガスと窒素ガスとを用いたプラズマにより圧力が7〜260Paの範囲で窒化して形成され、プラズマによるダメージが少なく、シリコン酸窒化膜は、該シリコン酸窒化膜の厚さ方向に、酸窒化膜表面付近に窒素原子を多く含み、シリコン酸窒化膜は、シリコン酸窒化膜表面側から0〜1.5nmの範囲における窒素原子含有量の最大値Nsが18〜30atm%の窒素含有領域と、シリコン酸窒化膜の、基材との対向面から0〜0.5nmの範囲における窒素原子含有量の最大値Nbが0〜10atm%の窒素含有領域と、を有する。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
電子デバイス用基材と、該基材上に配置されたシリコン酸窒化膜とを少なくとも含む電子デバイス用材料であって、 前記シリコン酸窒化膜は、アンテナを用いて、シリコン酸化膜表面を、Arガスと窒素ガスとを用いたプラズマにより、圧力が7〜260Paの範囲で窒化して形成され、前記プラズマによるダメージが少なく、 前記シリコン酸窒化膜は、 前記シリコン酸窒化膜の厚さ方向に、酸窒化膜表面付近に窒素原子を多く含み、 前記シリコン酸窒化膜表面側から0〜1.5nmの範囲における窒素原子含有量の最大値Nsが18〜30atm%の窒素含有領域と、 前記シリコン酸窒化膜の、基材との対向面から0〜0.5nmの範囲における窒素原子含有量の最大値Nbが0〜10atm%の窒素含有領域と、 を有する、 ことを特徴とする電子デバイス用材料。
IPC (4件)：
H01L 21/318 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/78
FI (6件)：
H01L21/318 C ,  H01L21/318 A ,  H01L21/31 C ,  H01L21/316 S ,  H01L21/31 E ,  H01L29/78 301G
Fターム (51件)：
5F045AA20 ,  5F045AB34 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AD06 ,  5F045AD08 ,  5F045AD12 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF03 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EK07 ,  5F045EM05 ,  5F045GB05 ,  5F045GB06 ,  5F045HA06 ,  5F045HA16 ,  5F058BA20 ,  5F058BC11 ,  5F058BE03 ,  5F058BF54 ,  5F058BF55 ,  5F058BF62 ,  5F058BF63 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA28 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BA20 ,  5F140BC06 ,  5F140BD09 ,  5F140BD15 ,  5F140BE01 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF34 ,  5F140BG28 ,  5F140CB01
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 特開昭55-134937号公報
  • 特開昭59-4059号公報
審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM