特許
J-GLOBAL ID：200903099099624290
シリコンウエーハおよびその製造方法ならびにシリコンウエーハの評価方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-322242
公開番号（公開出願番号）：特開2001-139396
出願日： 1999年11月12日
公開日（公表日）： 2001年05月22日
要約：
【要約】【課題】 結晶位置やデバイスプロセスに依存せずに安定して酸素析出が得られるシリコンウエーハおよびその製造方法を提供する。また、引上げ条件が未知で欠陥領域が不明のシリコンウエーハの欠陥領域を評価する方法を提供する。【解決手段】 CZ法により窒素をドープし或はドープなしで育成されたシリコン単結晶棒からスライスして得られたシリコンウエーハであって、該シリコンウエーハの全面が、NV領域、OSFリング領域を含むNV領域、OSFリング領域のいずれかであり、かつ格子間酸素濃度が14ppma以下であるシリコンウエーハおよびその製造方法並びにシリコンウエーハの欠陥領域を評価する方法。
請求項（抜粋）：
シリコンウエーハの全面が、NV領域、OSFリング領域を含むNV領域、OSFリング領域のいずれかであり、かつ格子間酸素濃度が14ppma以下であることを特徴とするシリコンウエーハ。
IPC (4件)：
C30B 29/06
, H01L 21/02
, H01L 21/322
, H01L 21/66
C30B 29/06 A
, H01L 21/02 B
, H01L 21/322 Y
, H01L 21/66 N
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EH09
, 4G077GA01
, 4G077GA10
, 4M106AA01
, 4M106BA08
, 4M106CB30
, 4M106DH01
