特許

J-GLOBAL ID：200903099162430310

基板処理装置

発明者： 塚本 秀之 ,  島田 真一 ,  岡 威憲
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-025040
公開番号（公開出願番号）：特開2005-217335
出願日： 2004年02月02日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：

【課題】 炉口部での非加熱域をなくして、炉口部での温度低下を抑制し、反応管4内での均熱領域を長くして製品ウェーハの品質の均一性の向上、歩留りの向上を図る。 【解決手段】 基板5を処理する処理室と、該処理室の周りに設けられ前記基板を加熱する加熱手段2とを具備し、該加熱手段が発熱部7と該発熱部との間に空間15を形成する外側断熱部42を有し、前記発熱部の下部を囲繞する冷却ガス導入ダクト36を前記空間、前記外側断熱部の下端に設け、前記冷却ガス導入ダクトより前記空間に冷却ガスが導入される様構成した。 【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板を処理する処理室と、該処理室の周りに設けられ前記基板を加熱する加熱手段とを具備し、該加熱手段が発熱部と該発熱部との間に空間を形成する外側断熱部を有し、前記発熱部の下部を囲繞する冷却ガス導入ダクトを前記空間、前記外側断熱部の下端に設け、前記冷却ガス導入ダクトより前記空間に冷却ガスが導入される様構成したことを特徴とする基板処理装置。

IPC (3件)：

H01L21/205 ,  H01L21/22 ,  H01L21/324

FI (3件)：

H01L21/205 ,  H01L21/22 511A ,  H01L21/324 W

Fターム (6件)：

5F045BB08 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EJ04 ,  5F045EJ06 ,  5F045EJ10

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-362715   出願人：株式会社日立国際電気
• 熱処理炉
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-074859   出願人：国際電気株式会社
• 半導体熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-258094   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (2件)

• 熱処理炉
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-074859   出願人：国際電気株式会社
• 半導体熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-258094   出願人：株式会社東芝