特許

J-GLOBAL ID：200903099183960352

ウエハエッジ部分の処理方法

発明者： 竹井 日出夫 ,  崎尾 進
出願人/特許権者： 株式会社アルバック
代理人 (1件)： 八木田 茂 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-252949
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068704
出願日： 2001年08月23日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】ウエハの薄膜化により鋭利化したウエハのエッジ部分に伴うチッピングの問題を解決できるウエハエッジ部分の処理方法を提供することにある。【解決手段】本ウエハエッジ部分の処理方法は、大気圧放電空間を画定する円筒体の内周に沿ってグロー放電を発生させ、放電空間にプロセスガスを導入し、処理すべきウエハのエッジ部分を除いてウエハを保護材で被覆し、保護材で被覆したウエハを上記円筒体の放電空間に通してウエハのエッジ部分を処理することから成る。

請求項（抜粋）：

大気圧放電空間を画定する円筒体の内周に沿ってグロー放電を発生させ、放電空間にプロセスガスを導入し、処理すべきウエハのエッジ部分を除いてウエハを保護材で被覆し、保護材で被覆したウエハを上記円筒体の放電空間に通してウエハのエッジ部分を処理することから成ることを特徴とするウエハエッジ部分の処理方法。

Fターム (9件)：

5F004AA06 ,  5F004AA16 ,  5F004BA19 ,  5F004BB19 ,  5F004BB20 ,  5F004DA01 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004EA03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ウエーハ端面のエツチング方法とその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-270149   出願人：住友精密工業株式会社
• 特開平3-064917
  
• 半導体ウェーハの面取り面の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-221448   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社