半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 坂口智康 , 内藤浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-276842
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006959
出願日： 2003年07月18日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】しきい値電圧の増大が抑制された半導体装置を提供する。【解決手段】 Si層15のうち、ソース領域19とドレイン領域20との間の領域は、高濃度のN型不純物を含むSiボディ領域21となっている。Si層16およびSiGe層17は、いずれもas-grownの状態では、N型不純物がドープされていないアンドープ層となっており、Si層16およびSiGe層17のうち、ソース領域19とドレイン領域20との間の領域は、それぞれ低濃度のN型不純物を含むSiバッファ領域22、および低濃度のN型不純物を含むSiGeチャネル領域23となっている。Si膜18のうちゲート絶縁膜12の直下に位置する領域は、P型不純物(5×1017atoms・cm-3)が導入されたSiキャップ領域24となっている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、上記基板の上部に設けられた半導体層と、上記半導体層の上に設けられたゲート絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、上記半導体層のうち上記ゲート電極の両側方に設けられた第1導電型の第1ソース・ドレイン領域と、上記半導体層のうち上記第1ソース・ドレイン領域間に位置する領域に設けられた第1の半導体からなる第1導電型の第1キャップ領域と、上記半導体層のうち上記第1キャップ領域の下方に設けられ、上記第1の半導体よりもキャリアが走行するバンド端のキャリアに対するポテンシャルが小さい第2の半導体からなる第1チャネル領域と、上記半導体層のうち上記第1チャネル領域の下方に設けられた第3の半導体からなる第2導電型の第1ボディ領域と、を備え、上記第1キャップ領域の厚さの変化に対して、ゼロバイアス時の上記第1チャネル領域と上記第1キャップ領域との界面に形成されるチャネルのポテンシャルが±0.05eVの範囲内にあるように、上記第1キャップ領域に第1導電型の不純物がドーピングされていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L29/78 , H01L21/8238 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L29/786

FI (5件)：

H01L29/78 301B , H01L27/08 331E , H01L27/08 321C , H01L29/78 622 , H01L29/78 626Z

Fターム (62件)：

5F048AA07 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048AC04 , 5F048BA03 , 5F048BA05 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BC01 , 5F048BD01 , 5F048BD04 , 5F048BD05 , 5F048BD09 , 5F048DA25 , 5F110AA08 , 5F110BB04 , 5F110BB20 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD24 , 5F110EE09 , 5F110EE31 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG34 , 5F110GG36 , 5F110GG44 , 5F110GG52 , 5F110GG60 , 5F110HJ13 , 5F110NN65 , 5F140AA01 , 5F140AA02 , 5F140AA06 , 5F140AA30 , 5F140AB03 , 5F140AC01 , 5F140AC10 , 5F140AC28 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA05 , 5F140BA17 , 5F140BB06 , 5F140BB13 , 5F140BB18 , 5F140BC06 , 5F140BC12 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG08 , 5F140DB05 , 5F140DB07

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平3-187269号公報
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-324465 出願人：シャープ株式会社
特開平3-280437号公報

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