特許
J-GLOBAL ID：200903099236038698

サファイア基板とその製造方法

発明者：
正 義彦

正 義彦 について


出願人/特許権者：
住友金属鉱山株式会社

住友金属鉱山株式会社 について


代理人 (1件)： 河備 健二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-069164
公開番号（公開出願番号）：特開2005-255463
出願日： 2004年03月11日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：
【課題】サファイア単結晶インゴットの外周部にある加工歪みや微小クラックを除去した大口径のサファイア基板とその経済的に効率的な製造方法を提供する。【解決手段】エピタキシャル成長法で窒化物系化合物半導体を育成するために用いるサファイア基板を製造する方法において、サファイア単結晶インゴットを研削加工した後、ウエハーにスライスする前に、該インゴットの外周部に化学研磨処理を施すことを特徴とするサファイア基板の製造方法などによって提供する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
エピタキシャル成長法で窒化物系化合物半導体を育成するために用いるサファイア基板を製造する方法において、 サファイア単結晶インゴットを研削加工した後、ウェハーにスライスする前に、該インゴットの外周部に化学研磨処理を施すことを特徴とするサファイア基板の製造方法。
IPC (3件)：
C30B29/20 ,  C30B33/10 ,  H01L21/02
FI (3件)：
C30B29/20 ,  C30B33/10 ,  H01L21/02 B
Fターム (5件)：
4G077AA02 ,  4G077BB01 ,  4G077FG05 ,  4G077HA12 ,  4G077PA16
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特許第3329593号公報(第1頁)
審査官引用 (4件)
全件表示
引用文献：
審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM