特許
J-GLOBAL ID：200903099240214980

プラズマスパッタリング装置

発明者：
龍治 真

龍治 真 について

, 
伴 雅人

伴 雅人 について


出願人/特許権者：
川崎重工業株式会社

川崎重工業株式会社 について


代理人 (1件)： 関 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-025091
公開番号（公開出願番号）：特開2001-220670
出願日： 2000年02月02日
公開日（公表日）： 2001年08月14日
要約：
【要約】【課題】 電子ビーム励起プラズマ装置を利用し、一部の成分についてガスの代わりに固体ターゲットを利用することにより必要な成分の薄膜を表面に堆積させて高性能材料を製造するプラズマスパッタリング装置を提供する。【解決手段】 放電室1とこれと隘路を介して隣接し加速電極21と試料台3が設置されたプロセス室2とを備える電子ビーム励起プラズマ装置において、プロセス室2にターゲット4を配置して反応プラズマを作用させてスパッタリングするようにしたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
希ガスから形成された放電プラズマが充満する放電室と、隘路を介して該放電室と隣接して形成されるプロセス室とを備え、該プロセス室内に加速電極と試料を載せる試料台が設置され、該加速電極により前記放電室内の放電プラズマから前記隘路を通して前記プロセス室に電子を引き出し加速して、該プロセス室内のガスを反応プラズマ化して試料面に作用させる電子ビーム励起プラズマ装置において、該プロセス室の反応プラズマを作用させスパッタリングを行うターゲットを該プロセス室内に設置したことを特徴とするプラズマスパッタリング装置。
IPC (3件)：
C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
C23C 14/34 T ,  C23C 14/34 B ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205
Fターム (36件)：
4K029AA01 ,  4K029AA24 ,  4K029BA34 ,  4K029BA56 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC13 ,  4K029DC16 ,  4K029DC32 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  5F045AA08 ,  5F045AA09 ,  5F045AA14 ,  5F045AA19 ,  5F045AB06 ,  5F045AB07 ,  5F045AC01 ,  5F045AF10 ,  5F045BB14 ,  5F045DA52 ,  5F045EB15 ,  5F045EE07 ,  5F045EF18 ,  5F045EH09 ,  5F045EH11 ,  5F045EH18 ,  5F103AA08 ,  5F103AA10 ,  5F103BB09 ,  5F103BB16 ,  5F103BB22 ,  5F103DD17 ,  5F103DD30 ,  5F103HH05 ,  5F103RR05
引用特許：
審査官引用 (6件)
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