特許
J-GLOBAL ID：200903099240659737
半導体装置の製造方法およびこれを用いた半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-307641
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145284
出願日： 1997年11月10日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 耐ストレス性の小さいフッ化炭素系樹脂等の有機系絶縁膜と、剛性は大きいが水分を吸着しやすい酸化シリコン等の無機系絶縁膜との積層絶縁膜を用いた半導体装置における、膜剥離や、有機系絶縁膜の熱変形を防止する。【解決手段】 有機系絶縁膜4,7と、無機系絶縁膜3,5,6,8との積層絶縁膜上に配線11,13材料層等、水分透過性の小さい膜を形成する前に、熱処理工程を挿入し、この後直ちに配線材料層等を成膜する。【効果】 無機系絶縁膜に吸着あるいは内包された水分が除去され、後工程での加熱により水分が気化する現象が防止される。したがって、積層絶縁膜の内圧が上昇することなく、膜剥離等の問題を回避できる。
請求項（抜粋）：
被処理基板上に有機系絶縁膜と無機系絶縁膜とを含む積層絶縁膜を有し、前記積層絶縁膜上に配線材料を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記配線材料を形成する工程に先立ち、前記積層絶縁膜に含まれる水分を除去する熱処理工程を施し、この後前記被処理基板を大気に露出することなく、連続的に前記配線材料を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 21/312
, H01L 21/316
H01L 21/90 M
, H01L 21/312 N
, H01L 21/316 P
, H01L 21/90 A
