特許
J-GLOBAL ID：200903099246498298
アクティブマトリクス表示装置の作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-350539
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181323
出願日： 1995年12月22日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【目的】 TFTを有するアクティブマトリクス液晶表示装置において、透明導電性被膜よりなる画素電極の形成において、工程数を削減するとともに、画素電極の専有比率(開口率)を向上せしめ、さらに、素子の凹凸を減ずるための方法を提供する。【構成】 データ線等の金属配線上に、層間絶縁物と透明導電性被膜を形成する。しかるのち、機械的研磨法もしくは化学的機械的研磨法によって、透明導電性被膜、層間絶縁物等を研磨し、平坦化する。この工程によって、ゲイト線やデータ線の凸部上に形成された透明導電性被膜が最初に研磨され、よって、ゲイト線やデータ線に沿って透明導電性被膜が分断される。画素電極は、配線によって囲まれた領域であるので、上記の工程によって、自動的に透明導電性被膜が、配線で分断されて得られる。
請求項（抜粋）：
透明な基板上にゲイト線、データ線、薄膜半導体層とを有し、表面が層間絶縁物で被覆された素子層を形成する第1の工程と、前記素子層に画素電極を設けるためのコンタクトホールを形成する第2の工程と、前記素子層上に透明導電性被膜を形成する第3の工程と、前記透明導電性被膜および層間絶縁物を機械的研磨法もしくは化学的機械的研磨法により、研磨、平坦化し、よって前記透明導電性被膜を、前記ゲイト線、データ線にそってエッチングする第4の工程と、を有することを特徴とするアクティブマトリクス表示装置の作製方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/304 321
H01L 29/78 627 A
, H01L 21/304 321 M
