特許
J-GLOBAL ID:200903099312045844

半導体集積回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三好 秀和 (外7名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-120280
公開番号(公開出願番号):特開2000-311918
出願日: 1999年04月27日
公開日(公表日): 2000年11月07日
要約:
【要約】【課題】 この発明は、回路構成素子として利用されるリード端子、ボンディングワイヤの寄生インダクタンスのばらつきを抑制することを課題とする。【解決手段】この発明は、パッケージの対向する側辺に配置されて並列接続された複数のボンディングワイヤ又は複数のボンディングワイヤとリード端子の寄生インダクタンスを利用して構成される。
請求項(抜粋):
ボンディングワイヤの寄生インダクタンスを、高周波信号を取り扱う半導体集積回路の回路構成素子として使用した半導体集積回路において、前記ボンディングワイヤは、パッケージの対向する側辺に配置されて並列接続された複数のボンディングワイヤからなることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (3件):
H01L 21/60 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (2件):
H01L 21/60 301 F ,  H01L 27/04 L
Fターム (5件):
5F038AZ06 ,  5F038BE07 ,  5F038CA10 ,  5F038EZ20 ,  5F044FF00
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 高周波半導体集積回路装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-066792   出願人:富士通株式会社
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-095951   出願人:松下電器産業株式会社
  • 特開昭60-249374

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