特許
J-GLOBAL ID：200903099419731732
樹脂封止型半導体装置の製造方法および樹脂封止型半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-022143
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275818
出願日： 1998年02月03日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：
【要約】【課題】 基板上にフェイスダウンで実装された半導体素子の周囲に、未充填やボイドの存在しない樹脂層を容易に形成することができる樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 配線回路を有する基板上に半導体素子を、その主面を基板に対向させてフェイスダウンで実装する工程と、前記半導体素子が実装された基板および封止樹脂を金型内に収容し、前記封止樹脂に圧力を加えることで、前記封止樹脂を前記半導体素子と基板との隙間、半導体素子の側面および半導体素子の裏面に配置して樹脂封止する工程とを具備する方法である。
請求項（抜粋）：
配線回路を有する基板上に半導体素子を、その主面を基板に対向させてフェイスダウンで実装する工程と、前記半導体素子が実装された基板および封止樹脂を金型内に収容し、前記封止樹脂に圧力を加えることで、前記封止樹脂を前記半導体素子と基板との隙間、半導体素子の側面および半導体素子の裏面に配置して樹脂封止する工程とを具備する樹脂封止型半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/56
, H01L 21/60 311
H01L 21/56 T
, H01L 21/60 311 Q
