特許
J-GLOBAL ID:200903099440564218

多重波長で発光する硫化カドミウムナノ結晶の製造方法、それにより製造された硫化カドミウムナノ結晶、およびこれを用いた白色発光ダイオード素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 磯野 道造 ,  多田 悦夫 ,  柏木 忍
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-157791
公開番号(公開出願番号):特開2005-336052
出願日: 2005年05月30日
公開日(公表日): 2005年12月08日
要約:
【課題】 多重波長で発光する硫化カドミウムナノ結晶の製造方法、それにより製造された硫化カドミウムナノ結晶、およびこれを用いた白色発光ダイオード素子を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体硫化カドミウムナノ結晶の製造方法は、カドミウム前駆体および分散剤を配位力の弱い溶媒と混合し、これを加熱してカドミウム前駆体溶液を得る段階と、硫黄前駆体を配位力の弱い溶媒に溶解して硫黄前駆体溶液を得る段階と、加熱されたカドミウム前駆体溶液に、硫黄前駆体溶液を注入して硫化カドミウム結晶を成長させる段階とを含む。【選択図】 図6
請求項(抜粋):
(a)カドミウム前駆体および分散剤を配位力の弱い溶媒と混合し、これを加熱してカドミウム前駆体溶液を得る段階と、 (b)硫黄前駆体を配位力の弱い溶媒に溶解して硫黄前駆体溶液を得る段階と、 (c)加熱された前記カドミウム前駆体溶液に前記硫黄前駆体溶液を注入して硫化カドミウム結晶を成長させる段階とを含む、多重波長で発光する硫化カドミウムナノ結晶の製造方法。
IPC (2件):
C01G11/02 ,  H01L33/00
FI (2件):
C01G11/02 ,  H01L33/00 D
Fターム (12件):
4G047BA01 ,  4G047BB01 ,  4G047BC02 ,  4G047BD04 ,  5F041AA11 ,  5F041AA12 ,  5F041AA14 ,  5F041CA08 ,  5F041CA41 ,  5F041CA45 ,  5F041CA67 ,  5F041CB36
引用特許:
出願人引用 (4件)
  • 米国特許第6,225,198号明細書
  • 米国特許第6,306,736号明細書
  • 米国特許第6,322,901号明細書
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審査官引用 (6件)
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引用文献:
審査官引用 (1件)
  • Improved optical properties of CdS quantum dots by ligand exchange

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