特許
J-GLOBAL ID：200903099457618737

端面発光型半導体レーザの製造方法

発明者：
手銭 雄太

手銭 雄太 について

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梅崎 民代

梅崎 民代 について

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山下 弘

山下 弘 について

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小島 彰

小島 彰 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-245903
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077468
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 サイズと需要電力が小さな端面発光型半導体レーザの生産。【解決手段】 図1は、端面発光型半導体レーザの共振器端部の平面図である。共振器端部のレジストマスク形成パターン上での各方向の幅d,Dをそれぞれ「d≒2δ」,「D≒W+2δ」が成り立つ様に設定することにより、共振器の端部のエッチング形状は、式「F≒W」を満たす図1(b)の様な形状となる。ただし、ここで、δはエッチングに伴う共振器端部の角の削損長である。これにより、共振器のI字形状の左右への突出部α,βの上方から見た際の面積が小さく抑えられて、共振器端部内での電流狭窄が十分に起り易くなり、需要電流が小さくなるため、消費電力や発熱量が下がる。また、共振器と負電極との間隔が、小さくでき、電極間の電流路が短くなるため、本発明のレーザダイオードは、抵抗値が小さく、これによっても消費電力や発熱量が小さく抑えられている。
請求項（抜粋）：
基板の上に III族窒化物系化合物半導体から成る複数の半導体層を結晶成長させ、共振器部分を残してその周辺部分をエッチングにより除去することで、結晶成長方向の上方から見た共振器の形状をI字形状のメサストライプ型に形成する端面発光型半導体レーザの製造方法であって、前記共振器の前記エッチングに対するレジストマスクの形成パターンにおける前記共振器の端面の幅Dを、前記共振器の発光部本体の前記端面に平行なメサストライプ幅Wよりも、前記上方から見た前記端面の縁の角の前記エッチングに伴う削損長δの約2.0〜2.2倍だけ長く設定することを特徴とする端面発光型半導体レーザの製造方法。
IPC (2件)：
H01S 5/22 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 5/22 ,  H01L 33/00 C
Fターム (21件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA87 ,  5F041CA92 ,  5F041CB05 ,  5F073AA22 ,  5F073AA45 ,  5F073AA55 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AA86 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA23
引用特許：
審査官引用 (4件)
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