特許
J-GLOBAL ID:200903099457806487

電力変換装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 朝日奈 宗太 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-033001
公開番号(公開出願番号):特開2000-232771
出願日: 1999年02月10日
公開日(公表日): 2000年08月22日
要約:
【要約】【課題】 DC送電などに用いられるDC-AC電力変換装置のクランプ型スナバ回路の電力損失の低減と小型化、低コスト化。【解決手段】 自己消弧機能を有する半導体スイッチング素子を直列に接続したスイッチ群により1アームを構成し、前記アームを少なくとも2つ以上組み合わせることにより高電圧の電力変換装置を構成し、前記半導体スイッチング素子の両端にそれぞれスナバ回路を設けた電力変換装置において、前記スナバ回路は半導体スイッチング素子の両端にクランプダイオードとクランプコンデンサの直列回路を接続し、前記クランプコンデンサの両端に非線形回路を並列に接続し、前記非線形回路は、非線形抵抗素子または非線形抵抗素子と半導体制御素子を用いた非線形抵抗回路から構成した。
請求項(抜粋):
自己消弧機能を有する半導体スイッチング素子を直列に接続したスイッチ群により1アームを構成し、前記アームを少なくとも2つ以上組み合わせることにより高電圧の電力変換装置を構成し、前記半導体スイッチング素子の両端にそれぞれスナバ回路を設けた電力変換装置において、前記スナバ回路は半導体スイッチング素子の両端にクランプダイオードとクランプコンデンサの直列回路を接続し、前記クランプコンデンサの両端に非線形回路を並列に接続し、前記非線形回路は、非線形抵抗素子または非線形抵抗素子と半導体制御素子を用いた非線形抵抗回路から構成されることを特徴とする電力変換装置。
IPC (2件):
H02M 1/00 ,  H02M 7/12
FI (3件):
H02M 1/00 F ,  H02M 1/00 J ,  H02M 7/12 J
Fターム (12件):
5H006BB02 ,  5H006CA03 ,  5H006CB01 ,  5H006FA00 ,  5H740BA01 ,  5H740BB01 ,  5H740BB05 ,  5H740BB07 ,  5H740BB08 ,  5H740KK05 ,  5H740MM03 ,  5H740MM17
引用特許:
審査官引用 (5件)
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