特許
J-GLOBAL ID：200903099458848493

成膜方法及び成膜装置

発明者：
高橋 豊

高橋 豊 について

, 
高木 聡

高木 聡 について

, 
冨田 正彦

冨田 正彦 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-106048
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294457
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：
【課題】 例えばゲート絶縁膜の上のゲート電極として用いられるポリシリコン膜を形成する際、後の工程で前記ポリシリコン膜へ導電性不純物元素を添加したときに、導電性不純物元素のポリシリコン膜の厚さ方向への突き抜けを防止するように、球状結晶の集合体を含むポリシリコン膜を形成すること。【解決手段】 被処理体を例えば580°Cに加熱してアモルファスシリコン膜を形成し、次いで、前記被処理体を例えば620°Cに加熱することにより、前記アモルファスシリコン膜をポリ化してポリシリコン膜を形成する。このようなポリシリコン膜は球状結晶の集合体又は、錘状結晶と球状結晶の混合体よりなり、微結晶粒子の粒界が種々の方向を向いているので、後の工程で当該ポリシリコン膜へ不純物元素を添加したときに、導電性不純物元素が前記粒界でトラップされ、当該不純物元素のポリシリコン膜の厚さ方向への突き抜けを防止できる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
被処理体を550°C以上の温度に加熱して、シリコンを含む成膜ガスを用い、被処理体の上にアモルファスシリコン膜を形成する成膜工程と、 次いで、前記被処理体を成膜工程時の温度よりも高い温度に加熱することにより、前記アモルファスシリコン膜をポリ化してポリシリコン膜を形成するポリ化工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。
IPC (7件)：
H01L21/28 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  H01L21/285 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78
FI (6件)：
H01L21/28 301A ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  H01L21/285 C ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/58 G
Fターム (29件)：
4K030AA06 ,  4K030BA30 ,  4K030BB03 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB37 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD55 ,  4M104DD79 ,  4M104DD81 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH04 ,  5F140AA28 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF33 ,  5F140BF38 ,  5F140BG28 ,  5F140BG32 ,  5F140BG33 ,  5F140BG37
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM