特許
J-GLOBAL ID：200903099460792020
フォトレジストパターン形成方法及びフォトレジスト処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-143381
公開番号（公開出願番号）：特開平8-339950
出願日： 1995年06月09日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：
【要約】【目的】 所望のフォトレジストパターンを良好な形状で得ることができるフォトレジストパターン形成方法及びフォトレジスト処理装置を提供する。【構成】 パターン形成材1上にフォトレジストを形成して露光現像することによりフォトレジストパターンを形成する際、フォトレジスト形成前にパターン形成材の少なくともフォトレジスト形成面を酸処理または酸素プラズマ処理する。
請求項（抜粋）：
パターン形成材上にフォトレジストを形成して露光現像することによりフォトレジストパターンを形成するフォトレジストパターン形成方法において、フォトレジスト形成前にパターン形成材の少なくともフォトレジスト形成面を酸処理することを特徴とするフォトレジストパターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/38 501
H01L 21/30 563
, G03F 7/38 501
