CdTe/CdS薄膜太陽電池を大規模に生産する方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：浅村皓 , 浅村肇 , 安藤克則 , 高松武生
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-535266
公開番号（公開出願番号）：特表2005-505938
出願日： 2002年10月04日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：

CdTe/CdS薄膜太陽電池を大規模に生産する方法であって、前記薄膜は透明基板上に順次堆積されるものであって、ステップ:前記基板上に透明導電酸化物(TCO)の薄膜を堆積させるステップ;前記TCO薄膜上にCdS薄膜を堆積させるステップ;前記CdS薄膜上にCdTe薄膜を堆積させるステップ;前記CdTe薄膜をCdCl2で処理するステップ;前記処理したCdTe薄膜上にバック接触薄膜を堆積させるステップを含む方法である。CdCl2によるCdTe薄膜の処理は、以下のステップ:基板を常温に保ちながら、CdTe薄膜上にCdCl2層を蒸発により形成するステップ;減圧室内で不活性ガス雰囲気下、380〜420°C及び300〜1000mbarで前記CdCl2層をアニールするステップ;前記室から不活性ガスを除去して減圧条件を作成し、一方で基板を350〜420°Cの温度に保持して、それによってCdTe薄膜表面から全ての残留CdCl2を蒸発させるステップを含む。

請求項（抜粋）：

CdTe/CdS薄膜太陽電池を大規模に生産する方法であって、前記薄膜は透明基板上に順次堆積されるものであって、前記基板上に透明導電酸化物(TCO)の薄膜を堆積させるステップ、前記TCO薄膜上にCdS薄膜を堆積させるステップ、前記CdS薄膜上にCdTe薄膜を堆積させるステップ、前記CdTe薄膜をCdCl2で処理するステップ、と前記処理したCdTe薄膜上にバック接触薄膜を堆積させるステップを含む方法であって、 CdCl2によるCdTe薄膜の処理が、基板を常温に保ちながら、CdTe薄膜上にCdCl2層を蒸発により形成するステップ、減圧室内で不活性ガス雰囲気下、380〜420°C及び300〜1000mbarで前記CdCl2層をアニールするステップ、と前記室から不活性ガスを除去して減圧条件を作成し、一方で基板を350〜420°Cの温度に保持して、それによってCdTe薄膜表面から全ての残留CdCl2を蒸発させるステップを含むことを特徴とする方法。

IPC (6件)：

H01L31/04 , C23C14/06 , C23C14/58 , H01L21/20 , H01L21/363 , H01L21/477

FI (6件)：

H01L31/04 E , C23C14/06 P , C23C14/58 A , H01L21/20 , H01L21/363 , H01L21/477

Fターム (40件)：

4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA11 , 4K029BA41 , 4K029BA45 , 4K029BA51 , 4K029BB02 , 4K029BC09 , 4K029BD00 , 4K029CA05 , 4K029EA01 , 4K029EA03 , 4K029EA05 , 4K029EA08 , 4K029GA00 , 4K029GA01 , 5F051AA09 , 5F051BA14 , 5F051CA13 , 5F051CA32 , 5F051DA03 , 5F051FA02 , 5F051FA03 , 5F051FA04 , 5F051FA06 , 5F051FA13 , 5F051FA15 , 5F051GA03 , 5F052AA11 , 5F052DA06 , 5F052DB07 , 5F052JA09 , 5F103AA01 , 5F103DD21 , 5F103GG02 , 5F103HH03 , 5F103LL04 , 5F103PP03 , 5F103PP14 , 5F103RR06

引用特許：

審査官引用 (3件)

太陽電池の製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-235508 出願人：松下電器産業株式会社
太陽電池の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-188107 出願人：松下電池工業株式会社
太陽電池の製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-221302 出願人：松下電器産業株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

FIRST WCPEC, 19941205, V1 CONF. 1, P103-106
"A highly efficient and stable CdTe/CdS thin film solar cell"

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