半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-191589
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009173
出願日： 2000年06月26日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】トランジスタチャネル部の不純物プロファイルが容易且つ正確に形成でき、しかも安定に保持できるようにして、ショートチャネル効果或いはバックバイアス効果が良好な高密度の半導体を製造できる製造方法の提供を目的とする。【解決手段】ゲート先造り法によりゲート酸化膜208、ゲート電極の一部209を形成し、ゲート電極209をマスクにして素子分離領域210の酸化層を自己整合で形成し、トランジスタチャネル部の不純物をゲート酸化膜とゲート電極の一部を介してイオン注入により形成し、最後に注入イオンの活性化の為の熱工程を行うように製造工程が順次に実行される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にMOS型トランジスタのゲート酸化膜を形成する工程と、前記ゲート酸化膜上にゲート電極の一部を構成する導電膜を形成する工程と、前記導電膜およびゲート酸化膜を貫通して前記半導体基板中に不純物をイオン注入する工程と、を具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (10件)：

H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 21/265 604 , H01L 21/8247 , H01L 27/115 , H01L 27/10 481 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (8件)：

H01L 21/265 604 Z , H01L 27/10 481 , H01L 27/08 321 C , H01L 27/08 321 D , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 301 L , H01L 29/78 301 H , H01L 29/78 371

Fターム (73件)：

5F001AA31 , 5F001AA43 , 5F001AB08 , 5F001AD17 , 5F001AD22 , 5F001AD44 , 5F001AD53 , 5F001AD60 , 5F001AD61 , 5F001AF05 , 5F001AF25 , 5F001AG12 , 5F001AG21 , 5F001AG28 , 5F001AG30 , 5F001AG40 , 5F040DA01 , 5F040DA06 , 5F040DA18 , 5F040DB03 , 5F040DC01 , 5F040EC01 , 5F040EC07 , 5F040EC11 , 5F040EC12 , 5F040EC13 , 5F040EE05 , 5F040EF02 , 5F040EK01 , 5F040EK05 , 5F040FA03 , 5F040FB02 , 5F040FC10 , 5F040FC11 , 5F048AA01 , 5F048AA04 , 5F048AA05 , 5F048AA09 , 5F048AB01 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BB01 , 5F048BB06 , 5F048BB16 , 5F048BB18 , 5F048BC06 , 5F048BD04 , 5F048BD05 , 5F048BE01 , 5F048BE02 , 5F048BE03 , 5F048BG14 , 5F048DA23 , 5F083EP76 , 5F083ER22 , 5F083GA09 , 5F083GA11 , 5F083GA24 , 5F083LA10 , 5F083NA01 , 5F083NA03 , 5F083NA04 , 5F083PR33 , 5F083PR36 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR45 , 5F083PR46 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083PR55 , 5F083PR56 , 5F083ZA07

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-048739 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-175380 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開平1-196862

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