特許
J-GLOBAL ID：200903099531356332

コンタクトホールの作製方法

発明者：
菅原 彰

菅原 彰 について

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上原 由起子

上原 由起子 について

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小沼 利光

小沼 利光 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-222581
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283166
出願日： 1994年08月24日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】【目的】 酸化珪素膜または窒化珪素膜下の、表面に陽極酸化アルミニウム膜を有しているアルミニウム電極に対する、酸化珪素膜または窒化珪素膜と酸化アルミニウム膜とをエッチング除去して行われるコンタクトホールの形成を、容易かつ確実に実施する。【構成】 表面に陽極酸化アルミニウムを有するアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする金属と、該アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする金属を覆っている酸化珪素膜または窒化珪素膜とを有する積層体に対し、酢酸とフッ化アンモニウム(NH4 F)とフッ化水素酸(HF)とを含んだ酢酸入りフッ酸溶液(ABHF)でエッチングする工程と、該工程の後、無水クロム酸と燐酸を含んだクロム燐酸溶液でエッチングする工程とを有する。
請求項（抜粋）：
表面に陽極酸化アルミニウムを有するアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする金属と、該アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする金属を覆っている酸化珪素膜とを有する積層体に対し、酢酸とフッ化アンモニウム(NH4 F)とフッ化水素酸(HF)とを含んだ酢酸入り緩衝フッ酸溶液(ABHF)でエッチングする工程と、該工程の後、無水クロム酸と燐酸を含んだクロム燐酸溶液でエッチングする工程とにより、前記酸化珪素膜と前記陽極酸化アルミニウムとをエッチングし、前記アルミニウムの少なくとも一部を露呈することを特徴とするコンタクトホールの作製方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/768
FI (2件)：
H01L 21/88 C ,  H01L 21/90 C
引用特許：
審査官引用 (12件)
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