特許
J-GLOBAL ID：200903099540809021

半導体装置の製造方法

発明者：
田原 傑

田原 傑 について


出願人/特許権者：
ヤマハ株式会社

ヤマハ株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-335329
公開番号（公開出願番号）：特開平11-168088
出願日： 1997年12月05日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：
【要約】【課題】 高反射率層上のホトリソグラフィ工程を含む半導体装置の製造方法に関し、有機系反射防止膜を用い、かつ高寸法精度のエッチングを行うことのできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 凹凸を有する加工対象層上の有機反射防止膜をレジストパターンを用いてエッチングする際、有機反射防止膜が薄い部分で有機反射防止膜のエッチングを終了するメインエッチング工程と、エッチャントガスと反応生成物により保護膜を形成する反応ガスとを含む混合ガスを用いて、前記有機反射防止膜をさらにエッチングするオーバーエッチング工程とを用いる。反応ガスの添加によりマスク側壁上に保護膜が形成される。
請求項（抜粋）：
半導体装置の凹凸を有する表面上に加工対象層を形成する工程と、前記加工対象層の上に有機反射防止膜を形成する工程と、前記有機反射防止膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをエッチングマスクとして用い、前記有機反射防止膜をエッチングし、有機反射防止膜が薄い部分で有機反射防止膜のエッチングを終了するメインエッチング工程と、エッチャントガスと反応生成物により保護膜を形成する反応ガスとを含む混合ガスを用いて、前記有機反射防止膜をさらにエッチングするオーバーエッチング工程と、前記レジストパターンと前記有機反射防止膜との積層をエッチングマスクとして用い、前記加工対象層をエッチングする工程とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
H01L 21/302 J ,  H01L 21/30 574 ,  H01L 21/302 F
引用特許：
審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM